Dischi Wafer Epitassiali in Carburo di Siliciu per l'equipaggiu VEECO

Descrizione breve:

Semicera hè un fornitore di punta di wafer è consumabili avanzati di semiconduttori, cuncintratu à furnisce Dischi Wafer Epitaxial Carbide di Siliciu di alta qualità per i prudutti di l'equipaggiu VEECO. I nostri Dischi di Wafer Epitassiali di Carburo di Siliciu per Equipment VEECO sò affidabili è innovatori, adattati per a fabricazione di semiconduttori, l'industria fotovoltaica è altri campi cunnessi. Semicera prupone prudutti più ecunomichi, di alta qualità, richieste di benvenuta.

 

 

 

 


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Descrizzione

Epitaxial en carbure de siliciumI dischi Wafer per l'equipaggiamenti VEECO da semicera sò cuncepiti cù precisione per i prucessi epitassiali avanzati, assicurendu risultati di alta qualità in i duiSi EpitaxyèEpitassi SiCapplicazioni. Questi dischi wafer sò specificamente pensati per l'equipaggiu VEECO, aumentendu u rendiment è l'efficienza di diversi prucessi di fabricazione di semiconduttori. L'esperienza di Semicera garantisce una durabilità eccezziunale è una precisione per applicazioni critiche.

Questi dischi di wafer epitassiali sò ideali per l'usuSusceptor MOCVDsistemi, chì furnisce un supportu robustu per cumpunenti essenziali cum'èPSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, èCarrier RTP. Inoltre, offrenu una cumpatibilità avanzata cùSusceptor Epitaxial LED, Barrel Susceptor, è i prucessi di Silicon Monocrystalline, assicurendu chì e vostre linee di produzzione mantenenu i più alti standard di efficienza è precisione.

Cuncepitu per a tecnulugia di punta, questi dischi wafer cuntribuiscenu significativamente à a produzzione di Parti Fotovoltaiche è facilitanu prucessi cumplessi cum'è GaN nantu à SiC Epitaxy. Ch'ella sia aduprata per cunfigurazioni Pancake Susceptor o altre applicazioni esigenti, i dischi di Wafer Epitaxial Carbide di Silicium di semicera furniscenu una basa affidabile per a fabricazione avanzata di semiconduttori, assicurendu un rendiment ottimale è una durabilità à longu andà.

 

Funzioni principali

1 .Graffite rivestite di SiC di alta purezza

2. Superior resistenza calori & uniformità termale

3. FineRivestitu di cristalli SiCper una superficia liscia

4. Alta durabilità contr'à a pulizia chimica

 

Specificazioni principali di i rivestimenti CVD-SIC:

SiC-CVD
Densità (g/cc) 3.21
Forza Flexural (Mpa) 470
Espansione termale (10-6/K) 4
Conduttività termica (W/mK) 300

Imballaggio è spedizione

Capacità di furnimentu:
10000 Piece / Pieces per Month
Imballaggio è consegna:
Imballaggio: Imballaggio standard è forte
Poly bag + Box + Carton + Pallet
Portu:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Comportu:

quantità (pezzi)

1-1000

> 1000

Est. Tempu (ghjorni) 30 Per esse negoziatu
Semicera Locu di travagliu
Semicera postu di travagliu 2
Macchina di l'equipaggiu
Trattamentu CNN, pulizia chimica, rivestimentu CVD
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