Metudu PART/1CVD (Deposizione di Vapore Chimica): À 900-2300 ℃, utilizendu TaCl5 è CnHm cum'è tantalu è fonti di carbone, H₂ cum'è atmosfera riducente, Ar₂as gas carrier, film di deposizione di reazione.U revestimentu preparatu hè compactu, uniforme è di alta purezza.Tuttavia, ci sò qualchi prublemi ...
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