Rivestimentu CVD SiC & TaC

Epitassi di carburu di siliciu (SiC).

A tavula epitaxial, chì cuntene u sustrato SiC per a crescita di a fetta epitaxial SiC, pusata in a camera di reazione è cuntattate direttamente l'ostia.

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Foglia monocristallina-silicone-epitaxial

A parte superiore di a mezza luna hè un trasportatore per altri accessori di a camera di reazione di l'equipaggiu di epitassi Sic, mentre chì a parte di a mezzaluna inferiore hè cunnessa à u tubu di quartz, introducendu u gasu per guidà a basa di suscettore per rotà. sò cuntrullati in temperatura è stallati in a camera di reazzione senza cuntattu direttu cù l'ostia.

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Si epitassi

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A tavula, chì cuntene u sustrato di Si per a crescita di a fetta epitaxial Si, pusata in a camera di reazzione è cuntattate direttamente l'ostia.

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L'anellu di preriscaldamentu hè situatu annantu à l'anellu esternu di u vassou di sustrato epitaxial Si è hè adupratu per a calibrazione è u riscaldamentu. Hè postu in a camera di reazzione è ùn hè micca direttamente in cuntattu cù u wafer.

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Un susceptor epitaxial, chì cuntene u sustrato di Si per a crescita di una fetta epitaxial Si, pusatu in a camera di reazione è cuntattate direttamente a wafer.

Suscettore di barile per l'epitassia in fase liquida (1)

U canna epitassiale hè cumpunenti chjave utilizati in diversi prucessi di fabricazione di semiconduttori, generalmente usati in l'equipaggiu MOCVD, cù una stabilità termica eccellente, resistenza chimica è resistenza à l'usura, assai adattati per l'usu in i prucessi d'alta temperatura. Cuntatta i wafers.

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Proprietà fisiche di Carburo di Siliciu Recristallizatu

Pruprietà Valore tipicu
Température de travail (°C) 1600 ° C (cù l'ossigenu), 1700 ° C (ambienti riduzzione)
cuntenutu SiC > 99,96%
Cuntinutu Si gratuitu <0,1%
Densità di massa 2,60-2,70 g/cm3
Porosità apparente < 16%
Forza di cumpressione > 600 MPa
Forza di curvatura à freddo 80-90 MPa (20°C)
Forza di curvatura calda 90-100 MPa (1400 ° C)
Dilatazione termica @ 1500 ° C 4,70 10-6/°C
Conduttività termica @ 1200 ° C 23 W/m•K
Modulu elasticu 240 GPa
Resistenza di scossa termale Moltu bè

 

Proprietà fisiche di Carburo di Siliciu Sinterizzatu

Pruprietà Valore tipicu
Cumpusizioni chimica SiC>95%, Si <5%
Densità Bulk > 3,07 g/cm³
Porosità apparente <0,1%
Modulu di rupture à 20 ℃ 270 MPa
Modulu di rupture à 1200 ℃ 290 MPa
Durezza à 20 ℃ 2400 kg/mm²
Tenacità di frattura à 20% 3,3 MPa · m1/2
Conduttività termica à 1200 ℃ 45 w/m .K
Espansione termica à 20-1200 ℃ 4,5 1 × 10 -6/℃
Temperature max.working 1400 ℃
Resistenza di scossa termica à 1200 ℃ Bene

 

Proprietà fisiche basiche di film CVD SiC

Pruprietà Valore tipicu
Struttura cristallina FCC fase β policristallina, principalmente (111) orientata
Densità 3,21 g/cm³
Durezza 2500 (Carica di 500 g)
Grandezza di granu 2 ~ 10 μm
Purità chimica 99,99995%
Capacità di calore 640 J·kg-1·K-1
Temperature di sublimazione 2700 ℃
Forza Flexural 415 MPa RT à 4 punti
Modulu di Young 430 Gpa 4pt curva, 1300 ℃
Conductibilità termale 300 W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5 × 10-6 K -1

 

Funzioni principali

A superficia hè densa è libera di pori.

Alta purezza, cuntenutu totale di impurità <20 ppm, bona ermeticità.

A resistenza à a temperatura alta, a forza aumenta cù a temperatura d'usu crescente, righjunghjendu u valore più altu à 2750 ℃, sublimazione à 3600 ℃.

Bassu modulu elasticu, alta conduttività termica, bassu coefficiente di espansione termica, è eccellente resistenza di scossa termica.

Una bona stabilità chimica, resistente à l'acidu, l'alkali, u salinu è i reagenti organici, è ùn hà micca effettu nantu à metalli fusi, scorie è altri media corrosivi. Ùn s'ossida significativamente in l'atmosfera sottu à 400 C, è a tarifa d'ossidazione aumenta significativamente à 800 ℃.

Senza liberazione di gas à alte temperature, pò mantene un vacuum of 10-7mmHg à circa 1800 ° C.

Applicazione di u produttu

Crogiolo di fusione per l'evaporazione in l'industria di i semiconduttori.

Porta di tubu elettronicu d'alta putenza.

Spazzola chì tocca u regulatore di tensione.

Monocromatore di grafite per raghji X è neutroni.

Diverse forme di substrati di grafite è rivestimentu di tubu di assorbimentu atomicu.

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Effettu di rivestimentu di carbone piroliticu sottu un microscopiu 500X, cù superficia intacta è sigillata.

U rivestimentu TaC hè a nova generazione di materiale resistente à a temperatura alta, cù una stabilità à alta temperatura più bona cà SiC. Cum'è un revestimentu resistente à a corrosione, u revestimentu anti-ossidazione è u revestimentu resistente à l'usura, pò ièssiri usatu in l'ambiente sopra à 2000C, largamente utilizatu in parti calde aerospaziali ultra-alta temperatura, i campi di crescita di cristalli unichi di semiconductor di terza generazione.

Tecnulugia innovativa di rivestimentu di carburu di tantalu _ Durezza di u materiale aumentata è resistenza à alta temperatura
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Rivestimentu antiusura di carburu di tantalu_ Prutegge l'equipaggiu da l'usura è a corrosione Image Featured Image
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Proprietà fisiche di u revestimentu TaC
Densità 14,3 (g/cm3)
Emissività specifica 0.3
Coefficient di espansione termica 6,3 10/K
Durezza (HK) 2000 HK
Resistenza 1x10-5 Ohm * cm
Stabilità termica <2500 ℃
A dimensione di grafite cambia -10 ~ -20um
Spessore di u revestimentu ≥220um valore tipicu (35um±10um)

 

I pezzi solidi di CARBUR DI SILICIU CVD sò ricunnisciuti cum'è a scelta primaria per anelli è basi RTP / EPI è parti di cavità di incisione di plasma chì operanu à temperature elevate di u sistema necessariu di u funziunamentu (> 1500 ° C), i requisiti di purità sò particularmente elevati (> 99,9995%). è u funziunamentu hè soprattuttu bonu quandu a resistenza tol chimichi hè particularmente altu. Questi materiali ùn cuntenenu fasi secondarie à u bordu di u granu, cusì i cumpunenti pruducenu menu particelle chì l'altri materiali. Inoltre, questi cumpunenti ponu esse puliti cù l'HF / HCI caldu cù pocu degradazione, risultatu in menu particelle è una vita di serviziu più longa.

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