In u campu di semiconductor, a stabilità di ogni cumpunente hè assai impurtante per tuttu u prucessu.In ogni casu, in un ambiente à alta temperatura, u grafite hè facilmente oxidatu è persu, è u revestimentu SiC pò furnisce una prutezzione stabile per e parti di grafite.In uSemicerasquadra, avemu u nostru equipamentu di trasfurmazioni di purificazione di grafite, chì ponu cuntrullà a purità di grafite sottu 5ppm.A purezza di u revestimentu di carburu di siliciu hè ancu sottu à 5 ppm.
✓ Alta qualità in u mercatu cinese
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✓Servizi persunalizati
Susceptor di crescita di l'epitassia
I wafers di carburu di silicuu / siliciu anu bisognu di passà per parechje prucessi per esse utilizati in i dispositi elettronici.Un prucessu impurtante hè l'epitassia di silicium / sic, in quale i wafers di silicium / sic sò purtati nantu à una basa di grafite.Vantaghji particulari di a basa di grafite rivestita di carburu di siliciu di Semicera includenu una purezza estremamente alta, un revestimentu uniforme è una vita di serviziu estremamente longa.Hanu ancu una alta resistenza chimica è stabilità termale.
Pruduzzione di chip LED
Durante u revestimentu estensivu di u reattore MOCVD, a basa planetaria o u trasportatore move a wafer di sustrato.U rendiment di u materiale di basa hà una grande influenza nantu à a qualità di u revestimentu, chì à u turnu affetta a freccia di u chip.A basa rivestita di carburu di siliciu di Semicera aumenta l'efficienza di fabricazione di wafer LED di alta qualità è minimizza a deviazione di a lunghezza d'onda.Fornimu ancu cumpunenti di grafite supplementari per tutti i reattori MOCVD attualmente in usu.Pudemu guasi ogni cumpunente cù un revestimentu di carburu di siliciu, ancu s'ellu u diametru di u cumpunente hè finu à 1.5M, pudemu ancu chjappà cù carburu di siliciu.
Campu Semiconductor, Prucessu di diffusione di l'ossidazione, Etc.
In u prucessu di semiconductor, u prucessu di espansione di l'ossidazione richiede una alta purezza di u produttu, è in Semicera offremu servizii di rivestimentu persunalizatu è CVD per a maiò parte di e parti di carburu di siliciu.
L'immagine seguente mostra u slurry di carburu di siliciu grossu di Semicea è u tubu di furnace in carburu di siliciu chì hè pulitu in u 1000- livellusenza polverestanza.I nostri travagliadori travaglianu prima di rivestimentu.A purezza di u nostru carburu di siliciu pò ghjunghje à 99,98%, è a purità di u revestimentu sic hè più grande di 99,9995%.