Struttura di Barile di Rivestimentu SiC per Susceptor di Canna

Descrizione breve:

Semicera offre una gamma completa di suscettori è cumpunenti di grafite pensati per vari reattori epitassi.

Attraversu partenariati strategichi cù OEM leader di l'industria, una vasta cumpetenza di materiali è capacità di fabricazione avanzata, Semicera furnisce disinni adattati per risponde à i requisiti specifici di a vostra applicazione. U nostru impegnu à l'eccellenza assicura chì riceve soluzioni ottimali per i vostri bisogni di reattori epitassi.

 


Detail di u produttu

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A nostra cumpagnia furnisceRivestimentu SiCservizii prucessu nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali da u metudu CVD, cusì chì i gasi spiciali chì cuntenenu carbonu è siliciu ponu reagisce à alta temperatura per ottene molécules Sic d'alta purezza, chì ponu esse dipositati nantu à a superficia di materiali rivestiti per furmà unStratu protettivu SiCper l'epitassi tipu di canna ipnotica.

 

Caratteristiche principali:

1 .Graffite rivestite di SiC di alta purezza

2. Superior resistenza calori & uniformità termale

3. FineRivestitu di cristalli SiCper una superficia liscia

4. Alta durabilità contr'à a pulizia chimica

 
硅外延2-Si Epitaxial Parts

 Specificazioni principali diRivestimentu CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina FCC phase β
Densità g/cm³ 3.21
Durezza Durezza Vickers 2500
Grandezza di granu μm 2 ~ 10
Purità chimica % 99,99995
Capacità di calore J·kg-1 ·K-1 640
Temperature di sublimazione 2700
Forza Flessurale MPa (RT à 4 points) 415
Modulu di u ghjovanu Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃) 430
Dilatazione termica (CTE) 10-6K-1 4.5
Conduttività termica (W/mK) 300
2--cvd-sic-purity---99-99995-_60366
5----sic-crystal_242127
Semicera Locu di travagliu
Semicera postu di travagliu 2
Macchina di l'equipaggiu
Trattamentu CNN, pulizia chimica, rivestimentu CVD
U nostru serviziu

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