Plateau ICP à semiconducteur personnalisé (gravure)

Descrizione breve:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. hè un fornitore di punta specializatu in wafer è consumabili avanzati di semiconductor.Semu dedicati à furnisce prudutti d'alta qualità, affidabili è innovatori à a fabricazione di semiconduttori,industria fotovoltaicaè altri campi cunnessi.

A nostra linea di prudutti include prudutti di grafite rivestiti di SiC / TaC è prudutti di ceramica, chì includenu diversi materiali cum'è carburu di siliciu, nitruru di siliciu, ossidu d'aluminiu è etc.

Cum'è un fornitore di fiducia, capiscenu l'impurtanza di i consumabili in u prucessu di fabricazione, è simu impegnati à furnisce prudutti chì rispondenu à i più alti standard di qualità per risponde à i bisogni di i nostri clienti.

 

Detail di u produttu

Tags di u produttu

Descrizzione di u produttu

A nostra sucietà furnisce servizii di prucessu di rivestimentu SiC per u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, in modu chì i gasi speciali chì cuntenenu carbonu è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule di SiC di alta purezza, molécule dipositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendu strata prutittivu SIC.

Caratteristiche principali:

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:

a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.

2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.

3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.

4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.

3

Specificazioni principali di CVD-SIC Coating

Proprietà SiC-CVD

Struttura cristallina

FCC phase β

Densità

g/cm³

3.21

Durezza

Durezza Vickers

2500

Grandezza di granu

μm

2 ~ 10

Purità chimica

%

99,99995

Capacità di calore

J·kg-1 ·K-1

640

Temperature di sublimazione

2700

Forza Flessurale

MPa (RT à 4 points)

415

Modulu di u ghjovanu

Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃)

430

Dilatazione termica (CTE)

10-6K-1

4.5

Conduttività termica

(W/mK)

300


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