I sustrati GaAs sò spartuti in cunduttivi è semi-insulanti, chì sò largamente usati in laser (LD), diode emettitore di luce semiconductor (LED), laser vicinu à l'infrared, laser quantum well-power è pannelli solari d'alta efficienza.Chip HEMT è HBT per radar, microonde, onde millimetriche o computer ultra-alta velocità è cumunicazioni ottiche;Dispositivi di frequenza radio per a cumunicazione wireless, 4G, 5G, cumunicazione satellitare, WLAN.
Ricertamenti, i sustrati di l'arsenidu di galiu anu ancu fattu un grande prugressu in mini-LED, Micro-LED è LED rossi, è sò largamente usati in i dispositi portabili AR / VR.
| Diamitru | 50 mm |75 mm |100 mm |150 mm |
| Metudu di crescita | LEC液封直拉法 |
| Spessore di wafer | 350 um ~ 625 um |
| Orientazione | <100> / <111> / <110> o altri |
| Tipu Conductive | P - tipu / N - tipu / Semi-isolante |
| Type/Dopant | Zn / Si / undoped |
| Cuncentrazione di Carrier | 1E17 ~ 5E19 cm-3 |
| Resistività à RT | ≥1E7 per SI |
| A mobilità | ≥4000 |
| EPD (densità di fossa di incisione) | 100 ~ 1E5 |
| TTV | ≤ 10 um |
| Arcu / Warp | ≤ 20 um |
| Finitura di a superficia | DSP/SSP |
| Laser Mark |
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| Grade | Gradazione epi lucidata / qualità meccanica |
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