Semicerapresenta fieramente u so4" Substrati di Ossidu di Gallium, un materiale rivoluzionariu ingegneratu per risponde à e crescente richieste di i dispositi semiconduttori d'altu rendiment. Ossidu di Gallium (Ga2O3) i sustrati offrenu un bandgap ultra-largu, chì li facenu ideali per l'elettronica di putere di a prossima generazione, l'optoelettronica UV è i dispositi d'alta frequenza.
Funzioni chjave:
• Ultra-Wide Bandgap: U4" Substrati di Ossidu di Galliumvantanu un bandgap di circa 4.8 eV, chì permette una tolleranza eccezziunale di tensione è temperatura, superando significativamente i materiali semiconduttori tradiziunali cum'è u siliciu.
•High Breakdown Voltage: Questi sustrati permettenu à i dispositi di funziunà à tensioni è putenzi più elevate, chì li facenu perfetti per l'applicazioni d'alta tensione in l'elettronica di putenza.
•Stabilità termale superiore: I sustrati di Gallium Oxide offrenu una conducibilità termale eccellente, assicurendu un rendimentu stabile in cundizioni estremi, ideali per l'usu in ambienti esigenti.
•Alta qualità di materiale: Cù bassa densità di difetti è alta qualità di cristalli, questi sustrati assicuranu un rendimentu affidabile è coerente, aumentendu l'efficienza è a durabilità di i vostri dispositi.
•Applicazione versatile: Adatta per una larga gamma di applicazioni, cumpresi transistori di putenza, diodi Schottky è apparecchi UV-C LED, chì permettenu innovazioni in i campi di putenza è optoelettronica.
Esplora u futuru di a tecnulugia di i semiconduttori cù Semicera's4" Substrati di Ossidu di Gallium. I nostri sustrati sò pensati per sustene l'applicazioni più avanzate, chì furnisce l'affidabilità è l'efficienza necessaria per i dispositi di punta d'oghje. Trust Semicera per a qualità è l'innuvazione in i vostri materiali semiconduttori.
| Articuli | Pruduzzione | Ricerca | Dummy |
| Parametri Crystal | |||
| Politipu | 4H | ||
| Errore di orientazione di a superficia | <11-20>4 ± 0,15 ° | ||
| Parametri elettrici | |||
| Dopantu | Nitrogenu di tipu n | ||
| Resistività | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Parametri meccanichi | |||
| Diamitru | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25 μm | ||
| Orientazione pianu primaria | [1-100] ± 5 ° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pianu secundariu | Nimu | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| arcu | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤ 35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosità frontale (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità di micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ca/cm2 |
| impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ca/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualità Frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura di a superficia | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm) | NA | |
| Scratchs | ≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru | Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA |
| Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione | Nimu | NA | |
| Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali | Nimu | ||
| Zone polytype | Nimu | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nimu | ||
| Back Quality | |||
| Finitura di daretu | C-face CMP | ||
| Scratchs | ≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA | |
| Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni) | Nimu | ||
| Rugosità di u spinu | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser posteriore | 1 mm (da u bordu superiore) | ||
| Edge | |||
| Edge | Smusso | ||
| Imballaggio | |||
| Imballaggio | Epi-ready cun imballaggio in vacuum Imballaggio di cassette multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD. | |||
