Semicerahè entusiasta di offre2" Substrati d'ossidu di Gallium, un materiale di punta cuncepitu per rinfurzà u rendiment di i dispositi semiconduttori avanzati. Questi sustrati, fatti da l'ossidu di Gallium (Ga2O3), presentanu un bandgap ultra-largu, chì li rende una scelta ideale per applicazioni optoelettroniche d'alta putenza, alta frequenza è UV.
Funzioni chjave:
• Ultra-Wide Bandgap: U2" Substrati d'ossidu di Galliumfurnisce un bandgap eccezziunale di circa 4.8 eV, chì permette un funziunamentu di tensione è temperatura più altu, superendu assai e capacità di i materiali semiconduttori tradiziunali cum'è u siliciu.
•Tensione di rottura eccezziunale: Questi sustrati permettenu à i dispositi di gestisce tensioni significativamente più alti, chì li facenu perfetti per l'elettronica di putenza, in particulare in l'applicazioni d'alta tensione.
•Eccellente Conduttività Termale: Cù una stabilità termale superiore, questi sustrati mantenenu un rendimentu consistente ancu in ambienti termali estremi, ideali per applicazioni à alta putenza è alta temperatura.
•Materiale di alta qualità: U2" Substrati d'ossidu di Galliumoffre bassa densità di difetti è alta qualità cristallina, assicurendu a prestazione affidabile è efficiente di i vostri dispositi semiconduttori.
•Applicazioni versatili: Questi sustrati sò adattati per una varietà di applicazioni, cumpresi transistori di putenza, diodi Schottky è apparecchi UV-C LED, chì offrenu una basa robusta per l'innovazioni di putenza è optoelettronica.
Sblocca tuttu u putenziale di i vostri dispositi semiconduttori cù Semicera's2" Substrati d'ossidu di Gallium. I nostri sustrati sò pensati per risponde à i bisogni esigenti di l'applicazioni avanzate d'oghje, assicurendu un altu rendiment, affidabilità è efficienza. Sceglite Semicera per i materiali semiconduttori di punta chì guidanu l'innuvazione.
| Articuli | Pruduzzione | Ricerca | Dummy |
| Parametri Crystal | |||
| Politipu | 4H | ||
| Errore di orientazione di a superficia | <11-20>4 ± 0,15 ° | ||
| Parametri elettrici | |||
| Dopantu | Nitrogenu di tipu n | ||
| Resistività | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Parametri meccanichi | |||
| Diamitru | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25 μm | ||
| Orientazione pianu primaria | [1-100] ± 5 ° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pianu secundariu | Nimu | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤ 10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| arcu | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤ 35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosità frontale (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità di micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ca/cm2 |
| impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ca/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualità Frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura di a superficia | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm) | NA | |
| Scratchs | ≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru | Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA |
| Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione | Nimu | NA | |
| Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali | Nimu | ||
| Zone polytype | Nimu | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nimu | ||
| Back Quality | |||
| Finitura di daretu | C-face CMP | ||
| Scratchs | ≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA | |
| Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni) | Nimu | ||
| Rugosità di u spinu | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser posteriore | 1 mm (da u bordu superiore) | ||
| Edge | |||
| Edge | Smusso | ||
| Imballaggio | |||
| Imballaggio | Epi-ready cun imballaggio in vacuum Imballaggio di cassette multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD. | |||
