Placca di grafite di rivestimentu di carburu di tantalu

Piastra di grafite di rivestimentu di carburu di tantalu Immagine presentata

Descrizione breve:

A piastra di grafite di rivestimentu in carburu di tantalu di Semicera hè stata progettata per applicazioni d'alta prestazione in epitassi di carburu di siliciu è crescita di cristalli. Questa piastra offre una stabilità eccezziunale in ambienti à alta temperatura, corrosivu è à alta pressione. Ideale per l'usu in reattori avanzati è strutture di furnace, aumenta u rendiment di u sistema è a longevità. Semicera assicura una qualità superiore è affidabilità cù a tecnulugia di rivestimentu d'avanguardia per esigenze di ingegneria esigenti.

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Foglia di grafite rivestita di carburu di tantaluhè un materiale di grafite cù una fina capa dicarburu di tantalunantu à a superficia di u sustrato. A strata fina di carburu di tantalu hè generalmente furmatu nantu à a superficia di u sustrato di grafite da tecniche cum'è a deposizione fisica di vapore (PVD) o a deposizione di vapore chimicu (CVD). Stu revestimentu hà proprietà eccellenti cum'è alta durezza, resistenza à l'usura eccellente, resistenza à a corrosione è stabilità à alta temperatura.

Semicera furnisce rivestimenti specializati di carburu di tantalu (TaC) per vari cumpunenti è trasportatori.U prucessu di rivestimentu di punta di Semicera permette à i rivestimenti di carburu di tantalu (TaC) per ottene una alta purezza, stabilità à alta temperatura è alta tolleranza chimica, migliurà a qualità di u produttu di cristalli SIC / GAN è strati EPI (Susceptor TaC rivestitu di grafite), è allargendu a vita di i cumpunenti chjave di u reattore. L'usu di u revestimentu di carburu di tantalu TaC hè di risolviri u prublema di u bordu è di migliurà a qualità di a crescita di cristalli, è Semicera hà avanzatu risolviu a tecnulugia di rivestimentu di carburu di tantalu (CVD), ghjunghje à u livellu avanzatu internaziunale.

Dopu à anni di sviluppu, Semicera hà cunquistatu a tecnulugia diCVD TaCcù i sforzi cumuni di u dipartimentu R&D. I difetti sò faciuli à accade in u prucessu di crescita di wafers SiC, ma dopu l'usuTaC, a diferenza hè significativa. Sottu hè un paraguni di wafers cù è senza TaC, oltri a parti Simicera 'per crescita single cristallu.

I vantaghji principali di a foglia di grafite rivestita di carburu di tantalu includenu:

1. Resistenza à a temperatura alta: u carburu di tantalu hà un altu puntu di fusione è una stabilità d'alta temperatura, facendu a foglia di grafite rivestita adattata per l'usu in ambienti d'alta temperatura.

2. Resistenza à a corrosione: u revestimentu di carburu di tantalu pò resiste à l'erosione di parechji sustanzi chimichi corrosivi è allargà a vita di serviziu di u materiale.

3. Durezza alta: L'alta durezza di a capa fina di carburu di tantalu furnisce una bona resistenza à l'usura è hè adattatu per l'applicazioni chì necessitanu una alta resistenza à l'usura.

4. Stabilità chimica: u revestimentu di carburu di tantalu hà una stabilità eccellente à a corrosione chimica è hè adattatu per l'usu in certi media corrosivi.

Rivestimentu di carburu di tantalu d'alta efficienza_ migliurà l'efficienza di a produzzione industriale è riduce i costi di mantenimentu Image Featured Image

Parte Tac per a crescita di cristalli unichi

Rivestimentu antiusura di carburu di tantalu_ Prutegge l'equipaggiu da l'usura è a corrosione Image Featured Image

Grafite cù anellu rivestitu di TaC

cù è senza TaC

Dopu aduprà TaC (diritta)

In più, Semicera'sI prudutti rivestiti di TaCmostranu una vita di serviziu più longa è una resistenza à alta temperatura più granderivestimenti SiC.E misurazioni di u laboratoriu anu dimustratu chì i nostririvestimenti TaCpò esse realizatu in modu coerente à temperature finu à 2300 gradi Celsius per periodi estesi. Eccu alcuni esempi di i nostri campioni: