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Rivestimentu di carburu di tantalu Half-moon

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  • Rivestimentu di carburu di tantalu Half-moon

Breve descrizzione:

Cù l'avventu di wafers di carburu di siliciu (SiC) di 8 inch, i requisiti per i vari prucessi di semiconductor sò diventati sempre più stretti, in particulare per i prucessi epitassi induve a temperatura pò esse più di 2000 gradi Celsius.I materiali suscettori tradiziunali, cum'è u grafite rivestitu di carburu di siliciu, tendenu à sublimà à queste alte temperature, disturbendu u prucessu di epitassi.Tuttavia, u carburu di tantalu CVD (TaC) risolve in modu efficace stu prublema, resistendu à temperature finu à 2300 gradi Celsius è offre una vita di serviziu più longa.Cuntattate Semicera's Rivestimentu di carburu di tantalu Half-moonper scopre di più nantu à e nostre soluzioni avanzate.


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Semicera furnisce rivestimenti specializati di carburu di tantalu (TaC) per vari cumpunenti è trasportatori.U prucessu di rivestimentu di punta di Semicera permette à i rivestimenti di carburu di tantalu (TaC) per ottene una alta purezza, stabilità à alta temperatura è alta tolleranza chimica, migliurà a qualità di u produttu di cristalli SIC / GAN è strati EPI (Susceptor TaC rivestitu di grafite), è allargendu a vita di i cumpunenti chjave di u reattore.L'usu di u revestimentu di carburu di tantalu TaC hè di risolviri u prublema di u bordu è di migliurà a qualità di a crescita di cristalli, è Semicera hà avanzatu risolviu a tecnulugia di rivestimentu di carburu di tantalu (CVD), ghjunghje à u livellu avanzatu internaziunale.

 

Cù l'avventu di wafers di carburu di siliciu (SiC) di 8 inch, i requisiti per i vari prucessi di semiconductor sò diventati sempre più stretti, in particulare per i prucessi epitassi induve a temperatura pò esse più di 2000 gradi Celsius.I materiali suscettori tradiziunali, cum'è u grafite rivestitu di carburu di siliciu, tendenu à sublimà à queste alte temperature, disturbendu u prucessu di epitassi.Tuttavia, u carburu di tantalu CVD (TaC) risolve in modu efficace stu prublema, resistendu à temperature finu à 2300 gradi Celsius è offre una vita di serviziu più longa.Cuntattate Semicera's Rivestimentu di carburu di tantalu Half-moonper scopre di più nantu à e nostre soluzioni avanzate.

Dopu à anni di sviluppu, Semicera hà cunquistatu a tecnulugia diCVD TaCcù i sforzi cumuni di u dipartimentu R&D.I difetti sò faciuli à accade in u prucessu di crescita di wafers SiC, ma dopu l'usuTaC, a diferenza hè significativa.Sottu hè un paraguni di wafers cù è senza TaC, oltri a parti Simicera 'per crescita single cristallu.

Rivestimentu di carburu di tantalu d'alta efficienza_ migliurà l'efficienza di a produzzione industriale è riduce i costi di mantenimentu Image Featured Image

Parte Tac per a crescita di cristalli unichi

Rivestimentu antiusura di carburu di tantalu_ Prutegge l'equipaggiu da l'usura è a corrosione Image Featured Image

Grafite cù anellu rivestitu di TaC

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cù è senza TaC

微信图片_20240227150053

Dopu aduprà TaC (diritta)

In più, Semicera'sI prudutti rivestiti di TaCmostranu una vita di serviziu più longa è una resistenza à alta temperatura più granderivestimenti SiC.E misurazioni di u laboratoriu anu dimustratu chì i nostririvestimenti TaCpò esse realizatu in modu coerente à temperature finu à 2300 gradi Celsius per periodi estesi.Eccu alcuni esempi di i nostri campioni:

 
3

Susceptor rivestitu di TaC

4

Grafite cù reattore rivestitu di TaC

0 (1)
Semicera Locu di travagliu
Semicera postu di travagliu 2
Macchina di l'equipaggiu
Magazzino Semicera
Trattamentu CNN, pulizia chimica, rivestimentu CVD
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