TaC rivestituA basa di grafite LED ultravioletta prufonda si riferisce à u prucessu di migliurà a prestazione è a stabilità di u dispusitivu dipositu unRivestimentu TaCnantu à a basa di grafite durante a preparazione di u dispusitivu LED ultraviolet prufonda. Stu revestimentu pò migliurà a prestazione di dissipazione di u calore, a resistenza à l'alta temperatura è a resistenza à l'ossidazione di u dispusitivu, migliurà cusì l'efficienza è l'affidabilità di u dispusitivu LED. Dispositivi LED ultraviolet prufonda sò generalmente utilizati in certi campi speciali, cum'è a disinfezione, a cura di luce, etc., chì anu esigenze elevate per a stabilità è u rendiment di u dispusitivu. L'applicazione diGrafite rivestito di TaCbasa pò rinfurzà effittivamenti a durabilità è u funziunamentu di u dispusitivu, chì furnisce un sustegnu impurtante per u sviluppu di a tecnulugia LED ultravioletta prufonda.
Semicera furnisce rivestimenti specializati di carburu di tantalu (TaC) per vari cumpunenti è trasportatori.U prucessu di rivestimentu di punta di Semicera permette à i rivestimenti di carburu di tantalu (TaC) per ottene una alta purezza, stabilità à alta temperatura è alta tolleranza chimica, migliurà a qualità di u produttu di cristalli SIC / GAN è strati EPI (Susceptor TaC rivestitu di grafite), è allargendu a vita di i cumpunenti chjave di u reattore. L'usu di u revestimentu di carburu di tantalu TaC hè di risolviri u prublema di u bordu è di migliurà a qualità di a crescita di cristalli, è Semicera hà avanzatu risolviu a tecnulugia di rivestimentu di carburu di tantalu (CVD), ghjunghje à u livellu avanzatu internaziunale.
Dopu à anni di sviluppu, Semicera hà cunquistatu a tecnulugia diCVD TaCcù i sforzi cumuni di u dipartimentu R&D. I difetti sò faciuli à accade in u prucessu di crescita di wafers SiC, ma dopu l'usuTaC, a diferenza hè significativa. Sottu hè un paraguni di wafers cù è senza TaC, oltri a parti Simicera 'per crescita single cristallu.
cù è senza TaC
Dopu aduprà TaC (diritta)
In più, Semicera'sI prudutti rivestiti di TaCmostranu una vita di serviziu più longa è una resistenza à alta temperatura più granderivestimenti SiC.E misurazioni di u laboratoriu anu dimustratu chì i nostririvestimenti TaCpò esse realizatu in modu coerente à temperature finu à 2300 gradi Celsius per periodi estesi. Eccu alcuni esempi di i nostri campioni:
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Anellu di guida di rivestimentu CVD in carburu di tantalu
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Crucible di rivestimentu di carburu di tantalu
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Demi-lune supérieure recouverte de carbure de tantale CVD
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Susceptor di wafer rivestitu di carburu di tantalu
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Anneau en graphite recouvert de carbure de tantale
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Piastra di Supportu di Pedestal di Rivestimentu di Carburu di Tantalu