Wafer di silicone

Breve descrizione:

Semicera Silicon Wafers sò a basa di i dispositi semiconduttori muderni, chì offrenu purezza è precisione senza pari. Cuncepitu per risponde à e strette esigenze di l'industria high-tech, sti wafers assicuranu un rendiment affidabile è una qualità consistente. Affidatevi a Semicera per le vostre applicazioni elettroniche all'avanguardia e soluzioni tecnologiche innovative.


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Semicera Silicon Wafers sò meticulosamente crafted per serve cum'è fundazione per una larga gamma di dispositivi semiconduttori, da i microprocessori à e cellule fotovoltaiche. Questi wafers sò ingegneriati cù alta precisione è purezza, assicurendu un rendiment ottimali in diverse applicazioni elettroniche.

Fabbricati cù tecniche avanzate, Semicera Silicon Wafers mostra una piattezza è uniformità eccezziunali, chì sò cruciali per ottene alti rendimenti in a fabricazione di semiconduttori. Stu livellu di precisione aiuta à minimizzà i difetti è à migliurà l'efficienza generale di i cumpunenti elettroni.

A qualità superiore di Semicera Silicon Wafers hè evidenti in e so caratteristiche elettriche, chì cuntribuiscenu à a prestazione rinfurzata di i dispositi semiconduttori. Cù bassi livelli di impurità è alta qualità di cristalli, questi wafers furniscenu a piattaforma ideale per u sviluppu di l'elettronica d'alta prestazione.

Disponibile in diverse dimensioni è specificazioni, Semicera Silicon Wafers ponu esse adattati per risponde à i bisogni specifichi di e diverse industrii, cumprese l'informatica, e telecomunicazioni è l'energia rinnuvevuli. Sia per a fabricazione à grande scala o per a ricerca specializata, queste wafers furnisce risultati affidabili.

Semicera s'impegna à sustene a crescita è l'innuvazione di l'industria di i semiconduttori fornendu wafers di siliciu di alta qualità chì rispondenu à i più alti standard di l'industria. Cù un focusu nantu à a precisione è l'affidabilità, Semicera permette à i pruduttori di spinghje i limiti di a tecnulugia, assicurendu chì i so prudutti stanu in prima linea di u mercatu.

Articuli

Pruduzzione

Ricerca

Dummy

Parametri Crystal

Politipu

4H

Errore di orientazione di a superficia

<11-20>4 ± 0,15 °

Parametri elettrici

Dopantu

Nitrogenu di tipu n

Resistività

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri meccanichi

Diamitru

150,0 ± 0,2 mm

Spessore

350±25 μm

Orientazione pianu primaria

[1-100] ± 5 °

Lunghezza piatta primaria

47,5 ± 1,5 mm

Pianu secundariu

Nimu

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

arcu

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤ 35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosità frontale (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità di micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ca/cm2

impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ca/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualità Frontale

Fronte

Si

Finitura di a superficia

Si-face CMP

Particelle

≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm)

NA

Scratchs

≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru

Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru

NA

Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione

Nimu

NA

Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali

Nimu

Zone polytype

Nimu

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nimu

Back Quality

Finitura di daretu

C-face CMP

Scratchs

≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru

NA

Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni)

Nimu

Rugosità di u spinu

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcatura laser posteriore

1 mm (da u bordu superiore)

Edge

Edge

Smusso

Imballaggio

Imballaggio

Epi-ready cun imballaggio in vacuum

Imballaggio di cassette multi-wafer

*Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD.

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Wafers di SiC

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