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Pilier en carbure de silicium lié au nitrure de silicium

Pilastru di carburu di siliciu ligatu à nitruru di siliciu Image Featured Image
  • Pilier en carbure de silicium lié au nitrure de silicium

Descrizione breve:

Si3N4 bonded SiC cum'è un novu tipu di materiale refrattariu, hè adupratu largamente. A temperatura di l'applicazione hè 1400 C.Hè una stabilità termale megliu, scossa termale, chì hè megliu cà materiale refrattariu pianu.-L'ossidazione, alta resistenza à a corrosione, resistenza à l'usura, alta forza di curvatura. Pò resiste à a corrosione è a fregatura, ùn esse micca contaminata è cunduzzione di calore veloce in metalli fusi cum'è AL, Pb, Zn, Cu ect.


Detail di u produttu

Tags di u produttu

描述

Carburo di siliciu legatu à u nitruru di siliciu

Si3N4 bonded SiC materiale refrattari ceramica, hè mischiatu cù alta purità SIC pulveru fini è siliciu in polvere, dopu à slip casting corsu, riazzioni sinterizzata sottu 1400 ~ 1500 ° C.Duranti u cursu di sinterizazione, riempia l'azotu altu puru in u fornu, allora u siliciu reagiscerà cù l'azotu è generà Si3N4, cusì u materiale SiC ligatu Si3N4 hè cumpostu di nitruru di siliciu (23%) è carburu di siliciu (75%) cum'è materia prima principale. , mischiatu cù materiale urganicu, è furmatu da mistura, estrusione o versazione, poi fatta dopu à l'asciugatura è a nitrogenizazione.

 

特点

Caratteristiche è vantaghji:

1.Htolleranza à a temperatura alta
2.High conductivity termale è resistenza scossa
3.High forza meccanica è resistenza abrasion
4.Excellent efficienza energetica è resistenza à a corrosione

Furnemu cumpunenti ceramichi NSiC di alta qualità è precisione machinati chì processanu da

1.Slip casting
2.Extruding
3.Uni Pressing Axial
4.Pressing isostatic

Scheda dati di u materiale

> Composizione chimica Sic 75%
Si3N4 ≥ 23%
Free Si 0%
Densità apparente (g/cm3) 2.70～2,80
Porosità apparente (%) 12～15
Forza di curvatura à 20 ℃ (MPa) 180～190
Forza di curvatura à 1200 ℃ (MPa) 207
Forza di curvatura à 1350 ℃ (MPa) 210
Forza di compressione à 20 ℃ (MPa) 580
Conduttività termica à 1200 ℃ (w/mk) 19.6
Coefficient di espansione termica à 1200 ℃ (x 10-6/C) 4,70
Resistenza di scossa termale Eccellente
Max.temperatura (℃) 1600
公司介绍

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. hè un fornitore di punta di ceramica semiconductora avanzata è l'unicu fabricatore in Cina chì pò furnisce simultaneamente ceramica di carburu di siliciu di alta purezza (in particulare u SiC Recristallizatu) è un rivestimentu CVD SiC.Inoltre, a nostra cumpagnia hè ancu impegnata in i campi di ceramica cum'è l'alumina, nitruru d'aluminiu, zirconia è nitruru di silicium, etc.

I nostri prudutti principali includenu: discu di incisione in carburu di siliciu, rimorchiu di barca in carburu di siliciu, barca di wafer di carburu di siliciu (fotovoltaicu è semiconduttore), tubu di fornu in carburu di siliciu, paddle cantilever in carburu di siliciu, mandrini in carburu di siliciu, fasciu di carburu di siliciu, è ancu u rivestimentu CVD SiC è TaC. rivestimentu.I prudutti principarmenti usati in l'industria di semiconductor è fotovoltaica, cum'è l'equipaggiu per a crescita di cristalli, epitassi, incisione, imballaggio, rivestimenti è forni di diffusione, etc.

A nostra sucietà hà l'equipaggiu di pruduzzione cumpletu cum'è stampaggio, sinterizzazione, trasfurmazioni, equipaghji di rivestimentu, etc., chì ponu compie tutti i ligami necessarii di a produzzione di produttu è avè una più alta cuntrollabilità di a qualità di u produttu;U pianu di produzzione ottimali pò esse sceltu secondu i bisogni di u produttu, risultatu in un costu più bassu è furnisce i clienti cun prudutti più competitivi;Pudemu pianificà a produzzione in modu flessibile è efficiente basatu annantu à i requisiti di consegna di ordini è in cungiunzione cù sistemi di gestione di ordini in linea, dendu à i clienti un tempu di consegna più veloce è garantitu.

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