Epitassi SiC

Descrizione breve:

Weitai offre un film sottile persunalizatu (carburu di siliciu) epitassi SiC nantu à sustrati per u sviluppu di dispositivi di carburu di siliciu.Weitai s'impegna à furnisce prudutti di qualità è prezzi cumpetitivi, è aspittemu di esse u vostru cumpagnu à longu andà in Cina.

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Detail di u produttu

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Descrizzione di u produttu

4h-n 4inch 6inch dia100mm sic seed wafer 1mm thickness per a crescita di lingotti

Dimensioni personalizzate/2inch/3inch/4inch/6inch 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N Lingotti SIC/Alta purezza 4H-N 4inch 6inch dia 150mm carburo di silicio sustrati monocristalli (sic) waferS/ Wafer sic 4inch customzied as-cut Grade 4H-N 1.5mm SIC Wafers per cristalli di semi

À propositu di Cristalli di Carburo di Siliciu (SiC).

Carbure di siliciu (SiC), cunnisciutu ancu carborundum, hè un semiconductor chì cuntene siliciu è carbone cù a formula chimica SiC.SiC hè utilizatu in i dispusitivi di l'elettronica semiconductor chì operanu à alte temperature o high voltages, o dui.SiC hè ancu unu di i cumpunenti LED impurtanti, hè un sustrato pupulari per u crescente di i dispusitivi GaN, è serve ancu com'è un spargitore di calore in high- LED di putenza.

Descrizzione

Pruprietà	4H-SiC, unicu cristallu	6H-SiC, un cristallu
Lattice Parameters	a=3,076 Å c=10,053 Å	a=3,073 Å c=15,117 Å
Sequenza di stacking	ABCB	ABCACB
Durezza di Mohs	≈ 9,2	≈ 9,2
Densità	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm.Coefficient d'espansione	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Indice di rifrazione @750nm	nè = 2,61 ne = 2,66	nò = 2,60 ne = 2,65
Custante dielettrica	c ~ 9,66	c ~ 9,66
Conduttività termica (Tipu N, 0,02 ohm.cm)	a~4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K
Conduttività termica (semi-isolante)	a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K	a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K
Band-gap	3,23 eV	3,02 eV
Campu Elettricu di Break-Down	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
Saturation Drift Velocity	2,0 × 105 m/s	2,0 × 105 m/s