Discu epitassiale di silicio monocristallino rivestito di SiC semiconduttore

U discu epitassiale di silicio monocristallino rivestito di SiC semiconduttore da semiceri, una soluzione all'avanguardia pensata per i processi avanzati di crescita epitassiale. Semicera hè specializata in a produzzione di dischi d'alta prestazione chì offre un'eccellente conduttività termica è durabilità, ideali per applicazioni inSi EpitaxyèEpitassi SiC. Stu discu epitassiale, rivestitu di carburu di siliciu (SiC), aumenta l'efficienza è a precisione di i prucessi di fabricazione di semiconduttori.

I nostriSusceptor MOCVDU discu epitassiale compatibile assicura un rendimentu coerente in diverse configurazioni, cumprese i sistemi chì necessitanu PSS Etching Carrier,Incisione ICPCarrier, è RTP Carrier. Stu discu hè ingegneratu per risponde à l'alte richieste di a produzzione di Siliciu Monocristallino, facendu adattatu per l'applicazioni LED Epitaxial Susceptor è altri prucessi di crescita di semiconductor. I disinni di Barrel Susceptor è Pancake Susceptor offrenu versatilità per i fabricatori, mentri l'usu di Parti Fotovoltaiche estende a so applicazione à l'industria solare.

Cù a so robusta custruzzione, e capacità GaN on SiC Epitaxy di stu discu aumentanu ancu u so valore per i sistemi epitassiali avanzati. Questa suluzione hè pensata per furnisce risultati affidabili è di alta qualità, facendu un cumpunente essenziale per a fabricazione moderna di semiconduttori è fotovoltaici.