Tubu di furnace di carburu di siliciu di bona stabilità resistente à alta temperatura

Descrizione breve:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. hè un fornitore di punta specializatu in wafer è consumabili avanzati di semiconductor.Semu dedicati à furnisce prudutti d'alta qualità, affidabili è innovatori à a fabricazione di semiconduttori,industria fotovoltaicaè altri campi cunnessi.

A nostra linea di prudutti include prudutti di grafite rivestiti di SiC / TaC è prudutti di ceramica, chì includenu diversi materiali cum'è carburu di siliciu, nitruru di siliciu, ossidu d'aluminiu è etc.

Cum'è un fornitore di fiducia, capiscenu l'impurtanza di i consumabili in u prucessu di fabricazione, è simu impegnati à furnisce prudutti chì rispondenu à i più alti standard di qualità per risponde à i bisogni di i nostri clienti.


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U carburu di siliciu hè un novu tipu di ceramica cù un altu rendimentu di costu è eccellenti proprietà di materiale.A causa di e caratteristiche cum'è alta forza è durezza, resistenza à alta temperatura, grande conduttività termica è resistenza à a corrosione chimica, u Carburu di Siliciu pò quasi resiste à tutti i medii chimichi.Per quessa, SiC sò largamente usati in a minera di petroliu, chimica, machina è spaziu aereo, ancu l'energia nucleare è l'armata anu e so dumande speciale nantu à SIC.Alcune applicazioni normali chì pudemu offre sò anelli di sigillatura per pompa, valve è armatura protettiva, etc.

Pudemu cuncepisce è fabricà secondu e vostre dimensioni specifiche cù una bona qualità è un tempu di consegna raghjone.

Pudemu furnisce stabile è affidabilebarche di cristallo di carburo di silicio,pale di carburu di siliciu,tubi di furna di carburu di siliciuper l'industria di wafer di semiconductor da 4 inch à 6 inch.A purezza pò ghjunghje sin'à 99,9% senza polluting the wafer.

Tubu à diffusione en carbure de silicium (2)

Tubu di furnace di carburu di siliciumhè principarmenti usatu per: 4-6 inch wafer di siliciu LTO = silice, SIPOS = oxy-polisilicu, SI3N4 = nitruru di siliciu, PSG = vetru di phosphosilicon, POLY = crescita di film di polysilicon.Hè u gasu di materia prima (o gasificazione di fonte di liquidu) attivatu da l'energia termale per generà una film solidu nantu à a superficia di u sustrato.Depositu di vapore chimicu di bassa pressione hè realizatu à bassa pressione, per via di a bassa pressione, u percorsu liberu mediu di e molécule di gas hè grande, cusì chì l'uniformità di u film cultivatu hè bonu, è u sustrato pò esse piazzatu verticalmente è a quantità di a carica hè grande, soprattuttu adattata per i circuiti integrati à grande scala, i dispositi discreti, l'elettronica di putenza, i dispusitivi optoelettronici è a fibra ottica è altre industrie di l'equipaggiu speciale di produzzione industriale.

Applicazioni:

- Campu resistente à l'usura: boccola, piastra, ugello di sabbiatura, rivestimentu di ciclone, canna di macinazione, etc.

-Campiu à Alta Temperature: SiC Slab, Tubu di Forno di Tempra, Tubu Radiant, Crucible, Elementu Riscaldante, Roller, Fascio, Scambiatore di Calore, Pipe d'Aria Fredda, Ugello di Bruciatore, Tubu di Proteczione di Termocoppia, Barca SiC, Struttura di Carru di Forno, Setter, etc.

-Campiu militare à prova di balle

-Silicon Carbide Semiconductor: SiC wafer boat, sic chuck, sic paddle, sic cassette, sic diffusion tube, wafer fork, suction plate, guideway, etc.

-Campiu di Sigillatura di Carburu di Siliciu: ogni tipu di anelli di sigillatura, cuscinetti, bushing, etc.

-Campiu Fotovoltaicu: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, etc.

-Campiu di batterie di lithium

Tubu à diffusione en carbure de silicium (3)

Parametri tecnichi

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