CVD Silicon Carbide (SiC) Rings offerti da Semicera sò cumpunenti chjave in l'incisione di semiconduttori, una tappa vitale in a fabricazione di dispositivi semiconduttori. A cumpusizioni di questi anelli CVD di Carbure di Siliciu (SiC) assicura una struttura robusta è durable chì pò sustene e cundizioni dure di u prucessu di incisione. A deposizione chimica di vapore aiuta à furmà una strata di SiC d'alta purezza, uniforme è densa, dendu à l'anelli una forza meccanica eccellente, stabilità termica è resistenza à a corrosione.
Cum'è un elementu chjave in a fabricazione di semiconduttori, CVD Silicon Carbide (SiC) Rings agisce cum'è una barriera protettiva per prutege l'integrità di chips semiconductor. U so designu precisu assicura una incisione uniforme è cuntrullata, chì aiuta à a fabricazione di dispusitivi semiconduttori altamente cumplessi, furnisce un rendimentu è affidabilità rinfurzati.
L'usu di materiale CVD SiC in a custruzzione di l'anelli mostra un impegnu à a qualità è u rendiment in a fabricazione di semiconduttori. Stu materiale hà proprietà uniche, cumprese una alta conduttività termica, una eccellente inerzia chimica, è resistenza à l'usura è à a corrosione, facendu CVD Silicon Carbide (SiC) Rings un cumpunente indispensabile in a ricerca di precisione è efficienza in i prucessi di incisione di semiconductor.
L'anellu CVD di Carburo di Siliciu (SiC) di Semicera rapprisenta una soluzione avanzata in u campu di a fabricazione di semiconduttori, aduprendu e proprietà uniche di u carburu di siliciu depositatu in vapore chimicu per ottene processi di incisione affidabili è d'altu rendiment, chì prumove l'avanzamentu cuntinuu di a tecnulugia di i semiconduttori. Ci impegnimu à furnisce à i clienti prudutti eccellenti è supportu tecnicu prufessiunale per risponde à a dumanda di l'industria di i semiconduttori per soluzioni di incisione di alta qualità è efficienti.
✓ Alta qualità in u mercatu cinese
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✓Small MOQ benvenutu è accettatu
✓Servizi persunalizati
Susceptor di crescita di l'epitassia
I wafers di carburu di silicuu / siliciu anu bisognu di passà per parechje prucessi per esse utilizati in i dispositi elettronici. Un prucessu impurtante hè l'epitassia di silicium / sic, in quale i wafers di silicium / sic sò purtati nantu à una basa di grafite. Vantaghji particulari di a basa di grafite rivestita di carburu di siliciu di Semicera includenu una purezza estremamente alta, un revestimentu uniforme è una vita di serviziu estremamente longa. Hanu ancu una alta resistenza chimica è stabilità termale.
Pruduzzione di chip LED
Durante u revestimentu estensivu di u reattore MOCVD, a basa planetaria o u trasportatore move a wafer di sustrato. U rendiment di u materiale di basa hà una grande influenza nantu à a qualità di u revestimentu, chì à u turnu affetta a freccia di u chip. A basa rivestita di carburu di siliciu di Semicera aumenta l'efficienza di fabricazione di wafer LED di alta qualità è minimizza a deviazione di a lunghezza d'onda. Fornimu ancu cumpunenti di grafite supplementari per tutti i reattori MOCVD attualmente in usu. Pudemu chjappà quasi ogni cumpunente cù un revestimentu di carburu di siliciu, ancu s'ellu u diametru di u cumpunente hè finu à 1,5 M, pudemu ancu chjappà cù carburu di siliciu.
Campu Semiconductor, Prucessu di diffusione di l'ossidazione, Etc.
In u prucessu di semiconductor, u prucessu di espansione di l'ossidazione richiede una alta purezza di u produttu, è in Semicera offremu servizii di rivestimentu persunalizati è CVD per a maiò parte di e parti di carburu di siliciu.
L'immagine seguente mostra u slurry di carburu di siliciu grossu di Semicea è u tubu di furnace in carburu di siliciu chì hè pulitu in u 1000- livellusenza polverestanza. I nostri travagliadori travaglianu prima di rivestimentu. A purezza di u nostru carburu di siliciu pò ghjunghje à 99,99%, è a purezza di u revestimentu sic hè più grande di 99,99995%.
Raw Carbure di Silicium Paddle è SiC Process Tube in Cleaning
Carburo di Siliciu Wafer Boat CVD SiC Coated
