L'epitassia LED blu/verde da semicera offre soluzioni all'avanguardia per a fabricazione di LED d'alta prestazione. Cuncepitu per sustene i prucessi di crescita epitassiali avanzati, a tecnulugia di epitassi LED blu / verde di semicera aumenta l'efficienza è a precisione in a produzzione di LED blu è verdi, critichi per diverse applicazioni optoelettroniche. Utilizendu Si Epitaxy è SiC Epitaxy di punta, sta suluzione assicura una qualità è una durabilità eccellenti.
In u prucessu di fabricazione, MOCVD Susceptor ghjucà un rolu cruciale, inseme cù cumpunenti cum'è PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier è RTP Carrier, chì ottimisanu l'ambiente di crescita epitaxial. L'epitassia LED blu/verde di Semicera hè cuncepita per furnisce un supportu stabile per i Susceptor Epitaxial LED, Susceptor Barrel è Siliciu Monocristallino, assicurendu a produzzione di risultati coerenti è di alta qualità.
Stu prucessu di epitassi hè vitale per a creazione di Parti Fotovoltaiche è supporta l'applicazioni cum'è GaN in SiC Epitaxy, migliurà l'efficienza generale di i semiconduttori. Sia in una cunfigurazione Pancake Susceptor o aduprata in altre configurazioni avanzate, e soluzioni di epitassi LED blu / verde di semicera offrenu prestazioni affidabili, aiutendu i pruduttori à risponde à a crescente dumanda di cumpunenti LED di alta qualità.
Caratteristiche principali:
1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:
a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.
2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.
3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.
Specificazioni principali diRivestimentu CVD-SIC
| Proprietà SiC-CVD | ||
| Struttura cristallina | FCC phase β | |
| Densità | g/cm³ | 3.21 |
| Durezza | Durezza Vickers | 2500 |
| Grandezza di granu | μm | 2 ~ 10 |
| Purità chimica | % | 99,99995 |
| Capacità di calore | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Temperature di sublimazione | ℃ | 2700 |
| Forza Flessurale | MPa (RT à 4 points) | 415 |
| Modulu di u ghjovanu | Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃) | 430 |
| Dilatazione termica (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
