China Wafer Produttori, Fornitori, Fabbrica
Cosa hè u wafer semiconductor?
Un wafer semiconductor hè una fetta fina è tonda di materiale semiconductor chì serve com'è fundazione per a fabricazione di circuiti integrati (IC) è altri dispositi elettronici. U wafer furnisce una superficia plana è uniforme nantu à quale sò custruiti diversi cumpunenti elettroni.
U prucessu di fabricazione di wafer implica parechje tappe, cumprese a crescita di un grande cristallu unicu di u materiale semiconductor desideratu, affettà u cristallu in wafers sottili cù una sega di diamante, è poi pulisce è pulisce i wafers per sguassà qualsiasi difetti di superficia o impurità. I wafers resultanti anu una superficia assai piatta è liscia, chì hè cruciale per i prucessi di fabricazione sussegwenti.
Una volta chì i wafers sò preparati, sò sottumessi à una seria di prucessi di fabricazione di semiconduttori, cum'è a fotolitografia, l'incisione, a deposizione è u doping, per creà i mudelli intricati è i strati necessarii per custruisce cumpunenti elettroni. Questi prucessi sò ripetuti parechje volte nantu à una sola wafer per creà parechje circuiti integrati o altri dispositi.
Dopu chì u prucessu di fabricazione hè cumpletu, i chips individuali sò separati dicing l'ostia in linee predefinite. I chips separati sò allora imballati per pruteggiri è furnisce cunnessione elettrica per integrazione in i dispositi elettronici.
Diversi materiali nantu à wafer
I wafers semiconduttori sò principarmenti fatti di siliciu monocristalli per a so abbundanza, eccellenti proprietà elettriche, è a cumpatibilità cù i prucessi standard di fabricazione di semiconduttori. Tuttavia, sicondu l'applicazioni è i bisogni specifichi, altri materiali ponu ancu esse utilizati per fà wafers. Eccu alcuni esempi:
U carburu di siliciu (SiC) hè un materiale semiconductor a banda larga chì offre proprietà fisiche superiori in paragunà à i materiali tradiziunali. Aiuta à riduce a dimensione è u pesu di i dispositi discreti, moduli, è ancu sistemi interi, mentre migliurà l'efficienza.
Caratteristiche chjave di SiC:
- - Banda larga:U bandgap di SiC hè di circa trè volte di u silicuu, chì li permette di operare à temperature più altu, finu à 400 ° C.
- -Campiu di spartimentu criticu altu:SiC pò sustene sin'à deci volte u campu elettricu di u siliciu, facendu ideale per i dispositi d'alta tensione.
- -Alta Conduttività Termica:SiC dissipa in modu efficiente u calore, aiutendu i dispositi à mantene a temperatura operativa ottima è allungendu a so vita.
- -Velocità di deriva di l'elettroni à alta saturazione:Cù doppia velocità di deriva di u siliciu, SiC permette frequenze di commutazione più elevate, aiutendu à a miniaturizazione di u dispositivu.
Applicazioni:
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- Elettronica di putenza:I dispositi di putenza SiC eccellenu in ambienti di alta tensione, alta corrente, alta temperatura è alta frequenza, aumentendu significativamente l'efficienza di cunversione di energia. Sò largamente utilizati in veiculi elettrici, stazioni di ricarica, sistemi fotovoltaici, trasporti ferroviari è reti intelligenti.
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- Comunicazioni à microonde:I dispositi GaN RF basati in SiC sò cruciali per l'infrastruttura di cumunicazione wireless, in particulare per stazioni di basa 5G. Questi apparecchi combinanu l'eccellente conduttività termica di SiC cù l'output RF di alta frequenza è alta putenza di GaN, facendu a scelta preferita per e rete di telecomunicazioni à alta frequenza di a prossima generazione.
Nitruru di Gallium (GaN)hè un materiale semiconductor di banda larga di terza generazione cù un grande bandgap, alta conduttività termica, alta velocità di deriva di saturazione di l'elettroni, è eccellenti caratteristiche di u campu di ripartizione. I dispositi GaN anu una larga prospettiva di applicazione in spazii d'alta frequenza, d'alta velocità è di alta putenza cum'è l'illuminazione LED à risparmiu energeticu, display di proiezione laser, veiculi elettrici, reti intelligenti è cumunicazioni 5G.
Arséniure de gallium (GaAs)hè un materiale semiconductor cunnisciutu per a so freccia alta, alta mobilità di l'elettroni, alta putenza di pruduzzione, pocu rumore è bona linearità. Hè largamente utilizatu in l'industrii optoelettronica è microelettronica. In optoelettronica, i sustrati GaAs sò usati per fabricà LED (diodi emettitori di luce), LD (diodi laser) è apparecchi fotovoltaici. In a microelettronica, sò impiegati in a produzzione di MESFET (transistor à effettu di campu di semiconductor di metallo), HEMT (transistor d'alta mobilità di l'elettroni), HBT (transistor bipolari heterojunction), IC (circuiti integrati), diodi à microonde è dispositivi à effettu Hall.
Fosfuru d'indiu (InP)hè unu di l'impurtanti semiconduttori cumposti III-V, cunnisciutu per a so alta mobilità di l'elettroni, a resistenza à a radiazione eccellente è a banda larga. Hè largamente utilizatu in l'industrii optoelettronica è microelettronica.
