Semicera furnisce rivestimenti specializati di carburu di tantalu (TaC) per vari cumpunenti è trasportatori.U prucessu di rivestimentu di punta di Semicera permette à i rivestimenti di carburu di tantalu (TaC) per ottene una alta purezza, stabilità à alta temperatura è alta tolleranza chimica, migliurà a qualità di u produttu di cristalli SIC / GAN è strati EPI (Susceptor TaC rivestitu di grafite), è allargendu a vita di i cumpunenti chjave di u reattore. L'usu di u revestimentu di carburu di tantalu TaC hè di risolviri u prublema di u bordu è di migliurà a qualità di a crescita di cristalli, è Semicera hà avanzatu risolviu a tecnulugia di rivestimentu di carburu di tantalu (CVD), ghjunghje à u livellu avanzatu internaziunale.
Dopu à anni di sviluppu, Semicera hà cunquistatu a tecnulugia diCVD TaCcù i sforzi cumuni di u dipartimentu R&D. I difetti sò faciuli à accade in u prucessu di crescita di wafers SiC, ma dopu l'usuTaC, a diferenza hè significativa. Quì sottu hè un paragone di wafers cù è senza TaC, è ancu di parti di Semicera per a crescita di cristalli unichi.
cù è senza TaC
Dopu aduprà TaC (diritta)
In più, a vita di serviziu di i prudutti di rivestimentu TaC di Semicera hè più longu è più resistente à a temperatura alta di quellu di u rivestimentu SiC. Dopu un longu tempu di dati di misurazione di laboratoriu, u nostru TaC pò travaglià per un bellu pezzu à un massimu di 2300 gradi Celsius. Eccu alcuni di i nostri campioni:
(a) Schema schematicu di u dispositivu di crescita di lingotti di cristallo SiC per u metudu PVT (b) Supportu di sementi rivestiti di TaC superiore (cumprese a semente di SiC) (c) Anellu di guida di grafite rivestitu di TAC
