I Substrati Plain di Ceramica SiN di Semicera furniscenu una soluzione d'alta prestazione per una varietà di applicazioni elettroniche è industriali. Cunnisciuti per a so eccellente conduttività termica è forza meccanica, questi sustrati assicuranu un funziunamentu affidabile in ambienti esigenti.
A nostra ceramica SiN (Nitruru di Siliciu) hè pensata per trattà a temperatura estrema è e cundizioni d'alta tensione, facendu adattate per l'elettronica d'alta putenza è i dispositi semiconduttori avanzati. A so durabilità è a resistenza à u scossa termale li facenu ideali per l'usu in applicazioni induve l'affidabilità è u rendiment sò critichi.
I prucessi di fabricazione di precisione di Semicera assicuranu chì ogni sustrato pianu soddisfà i rigorosi standard di qualità. Questu risultatu in sustrati cù un spessore consistente è una qualità di superficia, chì sò essenziali per ottene u rendiment ottimali in assemblei è sistemi elettronici.
In più di i so vantaghji termichi è meccanichi, SiN Ceramics Plain Substrates offre eccellenti proprietà d'insulazione elettrica. Questu assicura l'interferenza elettrica minima è cuntribuisce à a stabilità generale è l'efficienza di i cumpunenti elettronichi, aumentendu a so vita operativa.
Selezziunate Semicera's SiN Ceramics Plain Substrates, sceglite un pruduttu chì combina a scienza avanzata di i materiali cù a fabricazione di prima qualità. U nostru impegnu à a qualità è l'innuvazione garantisce chì riceve sustrati chì risponde à i più alti standard di l'industria è sustene u successu di i vostri prughjetti di tecnulugia avanzata.
Articuli | Pruduzzione | Ricerca | Dummy |
Parametri Crystal | |||
Politipu | 4H | ||
Errore di orientazione di a superficia | <11-20>4 ± 0,15 ° | ||
Parametri elettrici | |||
Dopantu | Nitrogenu di tipu n | ||
Resistività | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri meccanichi | |||
Diamitru | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Spessore | 350±25 μm | ||
Orientazione pianu primaria | [1-100] ± 5 ° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Pianu secundariu | Nimu | ||
TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
arcu | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤ 35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosità frontale (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità di micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ca/cm2 |
impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ca/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualità Frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura di a superficia | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm) | NA | |
Scratchs | ≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru | Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA |
Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione | Nimu | NA | |
Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali | Nimu | ||
Zone polytype | Nimu | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nimu | ||
Back Quality | |||
Finitura di daretu | C-face CMP | ||
Scratchs | ≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA | |
Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni) | Nimu | ||
Rugosità di u spinu | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser posteriore | 1 mm (da u bordu superiore) | ||
Edge | |||
Edge | Smusso | ||
Imballaggio | |||
Imballaggio | Epi-ready cun imballaggio in vacuum Imballaggio di cassette multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD. |