Substratu di silicone

Descrizione breve:

Semicera Silicon Substrates sò ingegneriate di precisione per applicazioni d'altu rendiment in l'elettronica è a fabricazione di semiconduttori. Cù purità è uniformità eccezziunale, questi sustrati sò pensati per sustene i prucessi tecnologichi avanzati. Semicera assicura qualità è affidabilità consistente per i vostri prughjetti più esigenti.


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I substrati di silicone Semicera sò fatti per risponde à e rigurose richieste di l'industria di i semiconduttori, offrendu una qualità è precisione senza paragone. Questi sustrati furniscenu una basa affidabile per diverse applicazioni, da i circuiti integrati à e cellule fotovoltaiche, assicurendu un rendiment ottimali è longevità.

L'alta purezza di Semicera Silicon Substrates assicura difetti minimi è caratteristiche elettriche superiori, chì sò critichi per a produzzione di cumpunenti elettronichi d'alta efficienza. Stu livellu di purità aiuta à riduce a perdita di energia è à migliurà l'efficienza generale di i dispositi semiconduttori.

Semicera impiega tecniche di fabricazione di punta per pruduce sustrati di siliciu cù uniformità è piattezza eccezziunale. Questa precisione hè essenziale per ottene risultati coerenti in a fabricazione di semiconduttori, induve ancu a minima variazione pò impactà u rendiment è u rendiment di u dispusitivu.

Disponibile in una varietà di dimensioni è specificazioni, Semicera Silicon Substrates risponde à una larga gamma di bisogni industriali. Sia chì sviluppate microprocessori di punta o pannelli solari, questi sustrati furniscenu a flessibilità è l'affidabilità necessaria per a vostra applicazione specifica.

Semicera hè dedicatu à sustene l'innuvazione è l'efficienza in l'industria di i semiconduttori. Fornendu sustrati di siliciu di alta qualità, permettemu à i pruduttori di spinghje i cunfini di a tecnulugia, furnisce prudutti chì rispondenu à e richieste in evoluzione di u mercatu. Affidatevi a Semicera per le vostre soluzioni elettroniche e fotovoltaiche di ultima generazione.

Articuli

Pruduzzione

Ricerca

Dummy

Parametri Crystal

Politipu

4H

Errore di orientazione di a superficia

<11-20>4 ± 0,15 °

Parametri elettrici

Dopantu

Nitrogenu di tipu n

Resistività

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri meccanichi

Diamitru

150,0 ± 0,2 mm

Spessore

350±25 μm

Orientazione pianu primaria

[1-100] ± 5 °

Lunghezza piatta primaria

47,5 ± 1,5 mm

Pianu secundariu

Nimu

TTV

≤5 μm

≤ 10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

arcu

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤ 35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosità frontale (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità di micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ca/cm2

impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ca/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualità Frontale

Fronte

Si

Finitura di a superficia

Si-face CMP

Particelle

≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm)

NA

Scratchs

≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru

Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru

NA

Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione

Nimu

NA

Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali

Nimu

Zone polytype

Nimu

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nimu

Back Quality

Finitura di daretu

C-face CMP

Scratchs

≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru

NA

Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni)

Nimu

Rugosità di u spinu

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcatura laser posteriore

1 mm (da u bordu superiore)

Edge

Edge

Smusso

Imballaggio

Imballaggio

Epi-ready cun imballaggio in vacuum

Imballaggio di cassette multi-wafer

*Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD.

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Wafers di SiC

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