Silicone nantu à Wafers Isolantida Semicera sò cuncepiti per risponde à a crescente dumanda di suluzioni di semiconduttori à altu rendiment. I nostri wafer SOI offrenu prestazioni elettriche superiori è capacità ridotte di i dispositivi parassitari, rendendu ideali per applicazioni avanzate cum'è i dispositi MEMS, i sensori è i circuiti integrati. L'expertise di Semicera in a produzzione di wafer assicura chì ognunuwafer SOIfurnisce risultati affidabili è di alta qualità per i vostri bisogni di tecnulugia di a prossima generazione.
I nostriSilicone nantu à Wafers Isolantioffre un equilibriu ottimale trà u costu è u rendiment. Cù u costu di wafer di soi diventa sempre più competitivu, sti wafers sò largamente usati in una varietà di industrii, cumprese a microelettronica è l'optoelettronica. U prucessu di produzzione d'alta precisione di Semicera guarantisci l'uniformità è l'uniformità di wafer superiori, facenduli adattati per una varietà di applicazioni, da i wafers SOI di cavità à i wafers standard di silicone.
Funzioni chjave:
•Wafer SOI di alta qualità ottimizzati per prestazioni in MEMS è altre applicazioni.
•Costu cumpetitivu di wafer di soi per l'imprese chì cercanu soluzioni avanzate senza compromette a qualità.
•Ideale per tecnulugii d'avanguardia, chì offre un isolamentu elettricu rinfurzatu è efficienza in siliciu nantu à i sistemi insulatori.
I nostriSilicone nantu à Wafers Isolantisò ingegneriati per furnisce suluzioni d'altu rendiment, sustenendu a prossima onda d'innuvazione in a tecnulugia di i semiconduttori. Sia u travagliu nantu à a cavitàCialde SOI, i dispositi MEMS, o siliciu nantu à i cumpunenti insulatori, Semicera furnisce wafers chì risponde à i più alti standard in l'industria.
Articuli | Pruduzzione | Ricerca | Dummy |
Parametri Crystal | |||
Politipu | 4H | ||
Errore di orientazione di a superficia | <11-20>4 ± 0,15 ° | ||
Parametri elettrici | |||
Dopantu | Nitrogenu di tipu n | ||
Resistività | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri meccanichi | |||
Diamitru | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Spessore | 350±25 μm | ||
Orientazione pianu primaria | [1-100] ± 5 ° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Pianu secundariu | Nimu | ||
TTV | ≤5 μm | ≤ 10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
arcu | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤ 35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosità frontale (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità di micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ca/cm2 |
impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ca/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualità Frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura di a superficia | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm) | NA | |
Scratchs | ≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru | Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA |
Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione | Nimu | NA | |
Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali | Nimu | ||
Zone polytype | Nimu | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nimu | ||
Back Quality | |||
Finitura di daretu | C-face CMP | ||
Scratchs | ≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA | |
Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni) | Nimu | ||
Rugosità di u spinu | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser posteriore | 1 mm (da u bordu superiore) | ||
Edge | |||
Edge | Smusso | ||
Imballaggio | |||
Imballaggio | Epi-ready cun imballaggio in vacuum Imballaggio di cassette multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD. |