Film di silicone

Descrizione breve:

U Silicon Film di Semicera hè un materiale d'altu rendiment cuncepitu per una varietà di applicazioni avanzate in l'industria di i semiconduttori è l'elettronica. Fattu da siliciu di alta qualità, sta film offre uniformità eccezziunale, stabilità termica è proprietà elettriche, facendu una soluzione ideale per a deposizione di film sottile, MEMS (Sistemi Micro-Electro-Mechanical) è a fabricazione di dispositivi semiconduttori.


Detail di u produttu

Tags di u produttu

U Silicon Film di Semicera hè un materiale d'alta qualità, ingegneria di precisione cuncepitu per risponde à i stretti requisiti di l'industria di i semiconduttori. Fabbricata da siliciu puru, sta suluzione di film sottile offre un'uniformità eccellente, una alta purezza è proprietà elettriche è termiche eccezziunali. Hè ideale per l'usu in diverse applicazioni di semiconduttori, cumprese a produzzione di Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate è Epi-Wafer. U Silicon Film di Semicera assicura un rendimentu affidabile è coerente, facendu un materiale essenziale per a microelettronica avanzata.

Qualità superiore è prestazione per a fabricazione di semiconduttori

Semicera's Silicon Film hè cunnisciuta per a so forza meccanica eccezziunale, alta stabilità termica è bassu tassi di difetti, chì sò tutti cruciali in a fabricazione di semiconduttori d'altu rendiment. Ch'ella sia aduprata in a produzzione di dispusitivi di Gallium Oxide (Ga2O3), AlN Wafer, o Epi-Wafers, a film furnisce una basa forte per a deposizione di film sottile è a crescita epitaxial. A so cumpatibilità cù altri sustrati semiconduttori cum'è SiC Substrate è SOI Wafers assicura una integrazione perfetta in i prucessi di fabricazione esistenti, aiutendu à mantene un rendimentu elevatu è una qualità di produttu consistente.

Applicazioni in l'industria di i semiconduttori

In l'industria di i semiconduttori, u Silicon Film di Semicera hè utilizzatu in una larga gamma di applicazioni, da a produzzione di Si Wafer è SOI Wafer à usi più specializati cum'è SiN Substrate è creazione Epi-Wafer. L'alta purezza è a precisione di sta filma facenu essenziale in a produzzione di cumpunenti avanzati utilizati in tuttu, da i microprocessori è i circuiti integrati à i dispositi optoelettronici.

U Film di Siliciu ghjoca un rolu criticu in i prucessi di semiconductor cum'è a crescita epitassiale, u ligame di wafer è a deposizione di film sottile. E so proprietà affidabili sò soprattuttu preziose per l'industrii chì necessitanu ambienti altamente cuntrullati, cum'è e camere pulite in i fabbri di semiconduttori. Inoltre, a Film di Siliciu pò esse integrata in sistemi di cassette per una gestione efficiente di wafer è u trasportu durante a produzzione.

Affidabilità è cunsistenza à longu andà

Unu di i vantaghji chjave di l'usu di Silicon Film di Semicera hè a so affidabilità à longu andà. Cù a so durabilità eccellente è a qualità consistente, sta film furnisce una soluzione affidabile per ambienti di produzzione di grande volume. Ch'ella sia aduprata in i dispositi semiconduttori d'alta precisione o in applicazioni elettroniche avanzate, a Silicon Film di Semicera assicura chì i fabricatori ponu ottene prestazioni elevate è affidabilità in una larga gamma di prudutti.

Perchè sceglie u film di silicone di Semicera?

U Silicon Film da Semicera hè un materiale essenziale per l'applicazioni di punta in l'industria di i semiconduttori. E so proprietà d'altu rendiment, cumprese l'eccellente stabilità termica, alta purezza è forza meccanica, facenu a scelta ideale per i pruduttori chì cercanu di ottene i più alti standard in a produzzione di semiconduttori. Da Si Wafer è SiC Substrate à a produzzione di dispusitivi di Gallium Oxide Ga2O3, sta film offre una qualità è un rendimentu senza pari.

Cù Semicera's Silicon Film, pudete cunfidassi in un pruduttu chì risponde à i bisogni di a fabricazione moderna di semiconduttori, chì furnisce una basa affidabile per a prossima generazione di l'elettronica.

Articuli

Pruduzzione

Ricerca

Dummy

Parametri Crystal

Politipu

4H

Errore di orientazione di a superficia

<11-20>4 ± 0,15 °

Parametri elettrici

Dopantu

Nitrogenu di tipu n

Resistività

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri meccanichi

Diamitru

150,0 ± 0,2 mm

Spessore

350±25 μm

Orientazione pianu primaria

[1-100] ± 5 °

Lunghezza piatta primaria

47,5 ± 1,5 mm

Pianu secundariu

Nimu

TTV

≤5 μm

≤ 10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

arcu

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤ 35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosità frontale (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità di micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ca/cm2

impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ca/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualità Frontale

Fronte

Si

Finitura di a superficia

Si-face CMP

Particelle

≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm)

NA

Scratchs

≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru

Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru

NA

Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione

Nimu

NA

Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali

Nimu

Zone polytype

Nimu

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nimu

Back Quality

Finitura di daretu

C-face CMP

Scratchs

≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru

NA

Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni)

Nimu

Rugosità di u spinu

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcatura laser posteriore

1 mm (da u bordu superiore)

Edge

Edge

Smusso

Imballaggio

Imballaggio

Epi-ready cun imballaggio in vacuum

Imballaggio di cassette multi-wafer

*Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD.

tech_1_2_size
Wafers di SiC

  • Previous:
  • Next: