U Silicon Film di Semicera hè un materiale d'alta qualità, ingegneria di precisione cuncepitu per risponde à i stretti requisiti di l'industria di i semiconduttori. Fabbricata da siliciu puru, sta suluzione di film sottile offre un'uniformità eccellente, una alta purezza è proprietà elettriche è termiche eccezziunali. Hè ideale per l'usu in diverse applicazioni di semiconduttori, cumprese a produzzione di Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate è Epi-Wafer. U Silicon Film di Semicera assicura un rendimentu affidabile è coerente, facendu un materiale essenziale per a microelettronica avanzata.
Qualità superiore è prestazione per a fabricazione di semiconduttori
Semicera's Silicon Film hè cunnisciuta per a so forza meccanica eccezziunale, alta stabilità termica è bassu tassi di difetti, chì sò tutti cruciali in a fabricazione di semiconduttori d'altu rendiment. Ch'ella sia aduprata in a produzzione di dispusitivi di Gallium Oxide (Ga2O3), AlN Wafer, o Epi-Wafers, a film furnisce una basa forte per a deposizione di film sottile è a crescita epitaxial. A so cumpatibilità cù altri sustrati semiconduttori cum'è SiC Substrate è SOI Wafers assicura una integrazione perfetta in i prucessi di fabricazione esistenti, aiutendu à mantene un rendimentu elevatu è una qualità di produttu consistente.
Applicazioni in l'industria di i semiconduttori
In l'industria di i semiconduttori, u Silicon Film di Semicera hè utilizzatu in una larga gamma di applicazioni, da a produzzione di Si Wafer è SOI Wafer à usi più specializati cum'è SiN Substrate è creazione Epi-Wafer. L'alta purezza è a precisione di sta filma facenu essenziale in a produzzione di cumpunenti avanzati utilizati in tuttu, da i microprocessori è i circuiti integrati à i dispositi optoelettronici.
U Film di Siliciu ghjoca un rolu criticu in i prucessi di semiconductor cum'è a crescita epitassiale, u ligame di wafer è a deposizione di film sottile. E so proprietà affidabili sò soprattuttu preziose per l'industrii chì necessitanu ambienti altamente cuntrullati, cum'è e camere pulite in i fabbri di semiconduttori. Inoltre, a Film di Siliciu pò esse integrata in sistemi di cassette per una gestione efficiente di wafer è u trasportu durante a produzzione.
Affidabilità è cunsistenza à longu andà
Unu di i vantaghji chjave di l'usu di Silicon Film di Semicera hè a so affidabilità à longu andà. Cù a so durabilità eccellente è a qualità consistente, sta film furnisce una soluzione affidabile per ambienti di produzzione di grande volume. Ch'ella sia aduprata in i dispositi semiconduttori d'alta precisione o in applicazioni elettroniche avanzate, a Silicon Film di Semicera assicura chì i fabricatori ponu ottene prestazioni elevate è affidabilità in una larga gamma di prudutti.
Perchè sceglie u film di silicone di Semicera?
U Silicon Film da Semicera hè un materiale essenziale per l'applicazioni di punta in l'industria di i semiconduttori. E so proprietà d'altu rendiment, cumprese l'eccellente stabilità termica, alta purezza è forza meccanica, facenu a scelta ideale per i pruduttori chì cercanu di ottene i più alti standard in a produzzione di semiconduttori. Da Si Wafer è SiC Substrate à a produzzione di dispusitivi di Gallium Oxide Ga2O3, sta film offre una qualità è un rendimentu senza pari.
Cù Semicera's Silicon Film, pudete cunfidassi in un pruduttu chì risponde à i bisogni di a fabricazione moderna di semiconduttori, chì furnisce una basa affidabile per a prossima generazione di l'elettronica.
Articuli | Pruduzzione | Ricerca | Dummy |
Parametri Crystal | |||
Politipu | 4H | ||
Errore di orientazione di a superficia | <11-20>4 ± 0,15 ° | ||
Parametri elettrici | |||
Dopantu | Nitrogenu di tipu n | ||
Resistività | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
Parametri meccanichi | |||
Diamitru | 150,0 ± 0,2 mm | ||
Spessore | 350±25 μm | ||
Orientazione pianu primaria | [1-100] ± 5 ° | ||
Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
Pianu secundariu | Nimu | ||
TTV | ≤5 μm | ≤ 10 μm | ≤15 μm |
LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
arcu | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
Warp | ≤ 35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
Rugosità frontale (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Struttura | |||
Densità di micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ca/cm2 |
impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ca/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
Qualità Frontale | |||
Fronte | Si | ||
Finitura di a superficia | Si-face CMP | ||
Particelle | ≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm) | NA | |
Scratchs | ≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru | Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA |
Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione | Nimu | NA | |
Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali | Nimu | ||
Zone polytype | Nimu | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
Marcatura laser frontale | Nimu | ||
Back Quality | |||
Finitura di daretu | C-face CMP | ||
Scratchs | ≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA | |
Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni) | Nimu | ||
Rugosità di u spinu | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
Marcatura laser posteriore | 1 mm (da u bordu superiore) | ||
Edge | |||
Edge | Smusso | ||
Imballaggio | |||
Imballaggio | Epi-ready cun imballaggio in vacuum Imballaggio di cassette multi-wafer | ||
*Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD. |