Descrizzione
USusceptors di Wafer Carbide di Silicium (SiC).per i MOCVD da semicera sò pensati per i prucessi epitassiali avanzati, offrendu prestazioni superiori per i duiSi EpitaxyèEpitassi SiCapplicazioni. L'approcciu innovativu di Semicera assicura chì questi suscettori sò durable è efficaci, chì furnisce stabilità è precisione per l'operazioni di fabricazione critica.
Ingegneria per sustene i bisogni intricati diSusceptor MOCVDsistemi, sti prudutti sò pulivalenti, cumpatibili cù traspurtadore cum'è PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, è RTP Carrier. A so flessibilità li rende adattati per l'industrii d'alta tecnulugia, cumpresi quelli chì travaglianuLED EpitaxialSusceptor è siliciu monocristalinu.
Cù parechje cunfigurazioni, cumpresi Barrel Susceptor è Pancake Susceptor, questi susceptor di wafer sò ancu essenziali in u settore fotovoltaicu, sustenendu a fabricazione di Parts Photovoltaic. Per i pruduttori di semiconduttori, a capacità di gestisce GaN nantu à i processi di Epitaxy SiC rende questi suscettori assai preziosi per assicurà un output di alta qualità in una larga gamma di applicazioni.
Funzioni principali
1 .Graffite rivestite di SiC di alta purezza
2. Superior resistenza calori & uniformità termale
3. FineRivestitu di cristalli SiCper una superficia liscia
4. Alta durabilità contr'à a pulizia chimica
Specificazioni principali di i rivestimenti CVD-SIC:
SiC-CVD | ||
Densità | (g/cc) | 3.21 |
Forza Flexural | (Mpa) | 470 |
Espansione termale | (10-6/K) | 4 |
Conduttività termica | (W/mK) | 300 |
Imballaggio è spedizione
Capacità di furnimentu:
10000 Piece / Pieces per Month
Imballaggio è consegna:
Imballaggio: Imballaggio standard è forte
Poly bag + Box + Carton + Pallet
Portu:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
Comportu:
quantità (pezzi) | 1-1000 | > 1000 |
Est. Tempu (ghjorni) | 30 | Per esse negoziatu |