Descrizzione
I suscettori di grafite rivestiti di SiC di Semicera sò ingegneriati cù sustrati di grafite d'alta qualità, chì sò meticulosamente rivestiti di Carburo di Siliciu (SiC) per mezu di prucessi avanzati di Deposizione di Vapuri Chimici (CVD). Stu disignu innovativu assicura una resistenza eccezziunale à u scossa termica è a degradazione chimica, allargendu significativamente a vita di u susceptor di grafite rivestitu di SiC è guarantisci un rendimentu affidabile in tuttu u prucessu di fabricazione di semiconduttori.
Caratteristiche principali:
1. Conductivity Thermal SuperiorU susceptor di grafite rivestitu di SiC mostra una conduttività termica eccezziunale, chì hè cruciale per una dissipazione di calore efficiente durante a fabricazione di semiconduttori. Questa funzione minimizza i gradienti termichi nantu à a superficia di l'ostia, prumove a distribuzione uniforme di a temperatura essenziale per ottene e proprietà di semiconductor desiderate.
2. Robusta resistenza chimica è termale ShockU revestimentu SiC furnisce una prutezzione formidabile contr'à a corrosione chimica è u scossa termica, mantenendu l'integrità di u susceptor di grafite ancu in ambienti di trasfurmazioni duri. Questa durabilità rinfurzata riduce i tempi di inattività è allunga a vita, cuntribuiscenu à una produttività aumentata è efficienza di costu in i stabilimenti di fabricazione di semiconduttori.
3. persunalizazione per i bisogni specifichiI nostri suscettori di grafite rivestiti di SiC ponu esse adattati per risponde à esigenze è preferenze specifiche. Offriamu una gamma di opzioni di persunalizazione, cumprese l'aghjustamenti di dimensioni è variazioni in u spessore di u rivestimentu, per assicurà a flessibilità di u disignu è u rendiment ottimizzatu per diverse applicazioni è parametri di prucessu.
Applicazioni:
Applicazioni I rivestimenti Semicera SiC sò usati in diverse fasi di a fabricazione di semiconduttori, cumprese:
1. -LED Chip Fabrication
2. -Produzzione Polysilicon
3. -Semiconductor Crystal Growth
4. -Silicium è SiC Epitaxy
5. -Oxidazione è diffusione termale (TO&D)