SiC Coating Graphite Wafer Susceptor

Breve descrizione:

Semicera Semiconductor's SiC Coating Graphite Wafer Susceptor offre prestazioni termiche superiori è durabilità per u processu di wafer. Affidati a Semicera per suscettori avanzati rivestiti di SiC pensati per rinfurzà l'efficienza è l'affidabilità in l'applicazioni di semiconduttori.

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Descrizzione

I Suscettori di Wafer SiC di Semicorex per MOCVD (Deposizione di Vapore Chimica Metal-Organica) sò progettati per risponde à e richieste esigenti di i prucessi di deposizione epitassiale. Utilizendu u Carburo di Siliciu (SiC) di alta qualità, questi suscettori offrenu una durabilità è un rendimentu senza paragone in ambienti à alta temperatura è corrosivi, assicurendu a crescita precisa è efficiente di materiali semiconduttori.

Funzioni chjave:

1. Pruprietà Material SuperiorCustruiti da SiC di alta qualità, i nostri suscettori di wafer mostranu una conduttività termica eccezziunale è una resistenza chimica. Queste proprietà li permettenu di resiste à e cundizioni estremi di i prucessi MOCVD, cumprese l'alte temperature è i gasi corrosivi, assicurendu a longevità è a prestazione affidabile.

2. Precision in Deposition EpitaxialL'ingegneria precisa di i nostri SiC Wafer Susceptors assicura una distribuzione uniforme di a temperatura in tutta a superficia di wafer, facilitendu una crescita di strati epitassiali coherente è di alta qualità. Questa precisione hè critica per a produzzione di semiconduttori cù proprietà elettriche ottimali.

3. Durabilità EnhancedU robustu materiale SiC furnisce una resistenza eccellente à l'usura è a degradazione, ancu sottu esposizione continua à ambienti di processu duri. Questa durabilità riduce a freccia di rimpiazzamentu di i suscettori, minimizendu i tempi di inattività è i costi operativi.