Suscettore LED UV profondu rivestitu di SiC

Breve descrizzione:

U SiC Coated Deep UV LED Susceptor hè un cumpunente criticu in i prucessi MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), specificamente cuncepitu per sustene una crescita efficace è stabile di strati epitassiali UV LED profondi. In Semicera, simu un fabricatore è fornitore di susceptors rivestiti di SiC, chì offre prudutti chì rispondenu à i più alti standard di l'industria. Cù anni di sperienza è partenariati à longu andà cù i principali produttori di epitassi LED, e nostre soluzioni suscettori sò affidate in u mondu.


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Susceptor LED UV Profondu Rivestitu SiC - Componente MOCVD Avanzatu per Epitassi di Alte Prestazioni

Panoramica:U SiC Coated Deep UV LED Susceptor hè un cumpunente criticu in i prucessi MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition), specificamente cuncepitu per sustene una crescita efficace è stabile di strati epitassiali UV LED profondi. In Semicera, simu un fabricatore è fornitore di susceptors rivestiti di SiC, chì offre prudutti chì rispondenu à i più alti standard di l'industria. Cù anni di sperienza è partenariati à longu andà cù i principali produttori di epitassi LED, e nostre soluzioni suscettori sò affidate in u mondu.

 

Funzioni principali è Vantaggi:

Ottimizatu per Deep UV LED Epitaxy:Spécialmente cuncepitu per a crescita epitassiale d'alta prestazione di LED UV profondi, cumprese quelli in a gamma di lunghezze d'onda <260nm (aduprate in disinfezione UV-C, sterilizazione è altre applicazioni).

Materiale è rivestimentu:Fabbricatu da grafite SGL di alta qualità, rivestitu cùCVD SiC, assicurendu una resistenza eccellente à NH3, HCl, è ambienti à alta temperatura. Stu revestimentu durable aumenta u rendiment è a longevità.

Gestione termica di precisione:Tecniche avanzate di trasfurmazioni assicuranu una distribuzione uniforme di u calore, impediscenu gradienti di temperatura chì puderanu impactà a crescita di strati epitassiali, migliurà l'uniformità è a qualità di materiale.

▪ Compatibilità di espansione termale:Corrisponde à u coefficiente di espansione termica di wafers epitassiali AlN/GaN, minimizendu u risicu di deformazione o cracking di wafer durante uMOCVDprucessu.

 

Adattabile à l'equipaggiu MOCVD di punta: Compatibile cù i principali sistemi MOCVD cum'è Veeco K465i, EPIK 700, è Aixtron Crius, supportendu dimensioni di wafer da 2 à 8 pollici è offre soluzioni persunalizate per u disignu di slot, a temperatura di u prucessu è altri parametri.

 

Applicazioni:

▪ Produzione di LED UV profonda:Ideale per l'epitassia di LED UV profondi utilizati in applicazioni cum'è a disinfezione è a sterilizzazione UV-C.

▪ Epitassi di semiconduttore di nitruru:Adatta per i prucessi epitassiali GaN è AlN in a fabricazione di dispositivi semiconduttori.

▪ Ricerca è Sviluppu:Supportu esperimenti epitassi avanzati per università è istituzioni di ricerca focalizati in materiali UV profondi è tecnulugia novi.

 

Perchè sceglie Semicera?

▪ Qualità pruvata:I nostriRivestitu di SiCI suscettori LED UV prufondi sò sottumessi à una verificazione rigorosa per assicurà chì currispondenu à u rendiment di i principali fabricatori internaziunali.

▪ Soluzioni su misura:Offriamu prudutti persunalizati per risponde à i bisogni unichi di i nostri clienti, assicurendu un rendiment ottimali è affidabilità à longu andà.

▪ Competenza Globale:Cum'è un cumpagnu di fiducia di parechjiLED epitaxialManufacturers in u mondu sanu, Semicera porta tecnulugia di punta è una ricchezza di sperienza à ogni prughjettu.

 

Cuntattateci oghje! Scopre cumu Semicera pò sustene i vostri prucessi MOCVD cù suscettori LED UV UV di alta qualità, affidabili, rivestiti di SiC. Cuntattateci per più infurmazione o per dumandà una quotazione.

 

 

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