Susceptor di Barile Rivestitu di Carburu di Siliciu per Wafer Epitaxial

Breve descrizzione:

Semicera offre una gamma completa di suscettori è cumpunenti di grafite pensati per vari reattori epitassi.

Attraversu partenariati strategichi cù OEM leader di l'industria, una vasta cumpetenza di materiali è capacità di fabricazione avanzata, Semicera furnisce disinni adattati per risponde à i requisiti specifici di a vostra applicazione. U nostru impegnu à l'eccellenza assicura chì riceve soluzioni ottimali per i vostri bisogni di reattori epitassi.

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A nostra cumpagnia furnisceRivestimentu SiCservizii di prucessu nant'à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali da u metudu CVD, cusì chì i gasi spiciali chì cuntenenu carbone è siliciu ponu reagisce à alta temperatura per ottene molécules Sic d'alta purezza, chì ponu esse dipositu nantu à a superficia di materiali rivestiti per furmà unStratu protettivu SiCper l'epitassi tipu di canna ipnotica.

Caratteristiche principali:

1 .Graffite rivestite di SiC di alta purezza

2. Superior resistenza calori & uniformità termale

3. FineRivestitu di cristalli SiCper una superficia liscia

4. Alta durabilità contr'à a pulizia chimica

Suscettore di Barile Rivestitu SiC per Wafer Epitaxial

Specificazioni principali diRivestimentu CVD-SIC

Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina	FCC phase β
Densità	g/cm³	3.21
Durezza	Durezza Vickers	2500
Grandezza di granu	μm	2 ~ 10
Purità chimica	%	99,99995
Capacità di calore	J·kg-1 ·K-1	640
Temperature di sublimazione	℃	2700
Forza Flessurale	MPa (RT à 4 points)	415
Modulu di u ghjovanu	Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃)	430
Dilatazione termica (CTE)	10-6K-1	4.5
Conduttività termica	(W/mK)	300