CVD Carburo di Siliciu (SiC)
Panoramica:CVDcarbure di siliciu in massa (SiC)hè un materiale assai ricercatu in l'equipaggiu di incisione di plasma, l'applicazioni di processazione termica rapida (RTP) è altri prucessi di fabricazione di semiconduttori. E so eccezziunali proprietà meccaniche, chimiche è termali facenu un materiale ideale per l'applicazioni di tecnulugia avanzata chì esigenu alta precisione è durabilità.
Applicazioni di CVD Bulk SiC:Bulk SiC hè cruciale in l'industria di i semiconduttori, in particulare in i sistemi di incisione di plasma, induve cumpunenti cum'è anelli di focus, soffioni di gas, anelli di bordu è platine beneficianu di l'eccezionale resistenza à a corrosione è a conduttività termica di SiC. U so usu si estende àRTPi sistemi per via di a capacità di SiC di resiste à rapidi fluttuazioni di temperatura senza degradazione significativa.
In più di l'equipaggiu di incisione, CVDSiC in massahè favuritu in i furnace di diffusione è i prucessi di crescita di cristalli, induve l'alta stabilità termica è a resistenza à l'ambienti chimichi duri sò necessarii. Questi attributi facenu SiC u materiale di scelta per l'applicazioni à alta dumanda chì implicanu temperature elevate è gasi corrosivi, cum'è quelli chì cuntenenu cloru è fluoru.
Vantaghji di i cumpunenti CVD Bulk SiC:
•Alta densità:Cù una densità di 3,2 g/cm³,CVD in massa SiCi cumpunenti sò assai resistenti à l'usura è à l'impattu meccanicu.
•Conduttività termica superiore:Offrendu una conduttività termale di 300 W/m·K, u SiC in massa gestisce in modu efficiente u calore, facendu ideale per i cumpunenti esposti à cicli termichi estremi.
•Resistenza chimica eccezziunale:A bassa reattività di SiC cù i gasi di incisione, cumpresi i chimichi basati in cloru è fluoru, assicura una vita di cumpunenti prolongata.
•Resistività regulabile: CVD in massa SiCa resistività pò esse persunalizata in a gamma di 10⁻²–10⁴ Ω-cm, facendu adattabile à esigenze specifiche di incisione è di fabricazione di semiconduttori.
•Coefficient d'espansione termica:Cù un coefficiente di espansione termica di 4,8 x 10⁻⁶ / ° C (25-1000 ° C), CVD bulk SiC resiste à u scossa termale, mantenendu a stabilità dimensionale ancu durante i cicli rapidi di riscaldamentu è raffreddamentu.
•Durabilità in plasma:L'esposizione à u plasma è i gasi reattivi hè inevitabbile in i prucessi di semiconductor, maCVD in massa SiCoffre una resistenza superiore à a corrosione è a degradazione, riducendu a frequenza di rimpiazzamentu è i costi di mantenimentu generale.
Specificazioni tecniche:
•Diametru:Più di 305 mm
•Resistività:Réglable entre 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•Densità:3,2 g/cm³
•Conduttività termica:300 W/m·K
•Coefficient d'espansione termica:4,8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
persunalizazione è flessibilità:ÀSemicera Semiconductor, Capemu chì ogni applicazione di semiconductor pò esse bisognu di specificazioni diverse. Hè per quessa chì i nostri cumpunenti CVD bulk SiC sò cumplettamente persunalizabili, cù resistività regulabile è dimensioni adattate per adattà à i vostri bisogni di l'equipaggiu. Sia ottimisate i vostri sistemi di incisione al plasma o cercate cumpunenti durable in RTP o prucessi di diffusione, u nostru CVD bulk SiC offre prestazioni senza pari.
