Portatore di grafite rivestito di SiC di lunga durata per wafer solare

Portatore di grafite rivestitu di SiC di longa vita di serviziu per l'immagine presentata di wafer solare

Descrizione breve:

U carburu di siliciu hè un novu tipu di ceramica cù un altu rendimentu di costu è eccellenti proprietà di materiale. A causa di caratteristiche cum'è alta forza è durezza, resistenza à a temperatura alta, grande conduttività termica è resistenza à a corrosione chimica, u Carburu di Siliciu pò quasi resiste à tutti i medii chimichi. Per quessa, SiC sò largamente usati in a minera di petroliu, chimica, machina è spaziu aereo, ancu l'energia nucleare è l'armata anu e so dumande speciale nantu à SIC. Alcune applicazioni normali chì pudemu offre sò anelli di sigillatura per pompa, valve è armatura protettiva, etc.

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Vantaghji

Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura
Eccellente resistenza à a corrosione
Bona resistenza à l'abrasione
Altu coefficient di conducibilità di u calore
Autolubricità, bassa densità
Alta durezza
Disegnu persunalizatu.

Applicazioni

- Campu resistente à l'usura: boccola, piastra, ugello di sabbiatura, rivestimentu di ciclone, canna di macinazione, ecc...
-Campiu à Alta Temperature: SiC Slab, Tubu di Forno di Tempra, Tubu Radiant, Crucible, Elementu Riscaldante, Roller, Fascio, Scambiatore di Calore, Tubu di Aria Fredda, Ugello di Bruciatore, Tubu di Proteczione di Termocoppia, Barca SiC, Struttura di Carru di Forno, Setter, etc.
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC wafer boat, sic chuck, sic paddle, sic cassette, sic diffusion tube, wafer fork, suction plate, guideway, etc.
-Campiu di Sigillatura di Carburu di Siliciu: tutti i tipi di anellu di sigillatura, cuscinetti, bushing, etc.
-Campiu Fotovoltaicu: Cantilever Paddle, Grinding Barrel, Silicon Carbide Roller, etc.
-Campiu di batterie di lithium

WAFER (1)

WAFER (2)

Proprietà fisiche di SiC

Pruprietà	Valore	Metudu
Densità	3,21 g/cc	Sink-float è dimensione
Calore specificu	0,66 J/g °K	Flash laser pulsatu
Forza Flexural	450 MPa 560 MPa	Curvatura à 4 punti, curvatura à 4 punti RT, 1300 °
Tenacità di frattura	2,94 MPa m1/2	Microindentazione
Durezza	2800	Vicker's, carica di 500 g
Modulu elasticu Modulu di Young	450 GPa 430 GPa	4 pt bend, RT4 pt bend, 1300 °C
Grandezza di granu	2-10 µm	SEM

Proprietà termiche di SiC

Conductibilità termale	250 W/m °K	Metudu di flash laser, RT
Dilatazione termica (CTE)	4,5 x 10-6 °K	Temperature de l'ambiance à 950 °C, dilatomètre de silice

Parametri tecnichi

Articulu	Unità	Dati
Articulu	Unità	RBSiC (SiSiC)	NBSiC	SSiC	RSiC	OSiC
cuntenutu SiC	%	85	75	99	99.9	≥99
Contenutu di siliciu liberu	%	15	0	0	0	0
Temperatura massima di serviziu	℃	1380	1450	1650	1620	1400
Densità	g/cm³	3.02	2,75-2,85	3.08-3.16	2,65-2,75	2,75-2,85
Porosità aperta	%	0	13-15	0	15-18	7-8
Forza di curvatura 20 ℃	Мpa	250	160	380	100	/
Forza di curvatura 1200 ℃	Мpa	280	180	400	120	/
Modulu d'elasticità 20 ℃	Gpa	330	580	420	240	/
Modulu d'elasticità 1200 ℃	Gpa	300	/	/	200	/
Conduttività termica 1200 ℃	W/mK	45	19.6	100-120	36.6	/
Coefficient di espansione termale	K^-1X10^-6	4.5	4.7	4.1	4.69	/
HV	Kg/m^m2	2115	/	2800	/	/

U revestimentu di carburu di siliciu CVD nantu à a superficia esterna di i prudutti di ceramica di carburu di siliciu recristallizatu pò ghjunghje à una purezza di più di 99,9999% per risponde à i bisogni di i clienti in l'industria di i semiconduttori.