Substratu InP è CdTe

Breve descrizzione:

E soluzioni InP è CdTe Substrate di Semicera sò pensate per applicazioni d'alta prestazione in l'industria di i semiconduttori è di l'energia solare. I nostri sustrati InP (Indium Phosphide) è CdTe (Cadmium Telluride) offrenu proprietà di materiale eccezziunale, cumprese alta efficienza, eccellente conduttività elettrica è robusta stabilità termica. Questi sustrati sò ideali per l'usu in i dispositi optoelettronici avanzati, i transistori d'alta frequenza è e cellule solari di film sottile, chì furnisce una basa affidabile per e tecnulugia di punta.


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Cù Semicera'sSubstratu InP è CdTe, pudete aspittà di qualità superiore è precisione ingegneria per risponde à i bisogni specifichi di i vostri prucessi di fabricazione. Sia per l'applicazioni fotovoltaiche o per i dispositi semiconduttori, i nostri sustrati sò fatti per assicurà un rendimentu, durabilità è coerenza ottimali. Cum'è un fornitore di fiducia, Semicera s'impegna à furnisce soluzioni di sustrato persunalizabili di alta qualità chì guidanu l'innuvazione in i settori di l'elettronica è di l'energia rinnuvevuli.

Proprietà cristalline è elettriche1

Tipu
Dopantu
EPD (cm–2)(Vede quì sottu A.)
DF (senza difetti) area (cm2, Vede sottu B.)
c/(c cm–3
Mobilità (y cm2/Vs)
Resistivit(y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10(59,4%)
≧ 15(87%).
(3〜6)×1018
──────
──────
SI
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
nimu
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 Altre specificazioni sò dispunibili nantu à dumanda.

A.13 Punti Media

1. Dislocation etch pit densities sò misurati à 13 punti.

2. A media ponderata di l'area di e densità di dislocazione hè calculata.

Misurazione di l'area B.DF (In casu di Garanzia di zona)

1. Dislocation etch pit densities di 69 punti indicatu cum'è dritta sò cuntatu.

2. DF hè definitu cum'è EPD menu di 500cm–2
3. L'area massima DF misurata da stu metudu hè 17,25 cm2
Substratu InP è CdTe (2)
Substratu InP è CdTe (1)
Substratu InP è CdTe (3)

Specificazioni cumuni InP Single Crystal Substrates

1. Orientazione
Orientazione di a superficia (100)±0,2º o (100)±0,05º
L'orientazione di a superficia hè dispunibule nantu à dumanda.
Orientation de l'appartement OF : (011)±1º ou (011)±0,1º IF : (011)±2º
Cleaved OF hè dispunibule nantu à dumanda.
2. A marcatura laser basatu nantu à u standard SEMI hè dispunibule.
3. Pacchettu individuale, oltri pacchettu in gas N2 sò disponibile.
4. Etch-and-pack in gas N2 hè disponibile.
5. Wafers rectangulari sò dispunibili.
A specificazione sopra hè di u standard JX.
Se altre specificazioni sò richieste, per piacè dumandateci.

Orientazione

 

Substratu InP è CdTe (4) (1)
Semicera Locu di travagliu
Semicera postu di travagliu 2
Macchina di l'equipaggiu
Trattamentu CNN, pulizia chimica, rivestimentu CVD
Magazzino Semicera
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