Materia prima semiconductora in polvere di carburu di siliciu di alta purezza cù una purezza finu à 6N

Descrizione breve:

Semicera Semiconductor Technology Co., Ltd. hè una impresa high-tech stabilita in Cina, simu prufessiunali Materia prima semiconductora in polvere di carburu di siliciu di alta purezza cù una purezza finu à 6N fabricatore è fornitore.

 

 


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Panoramica di Polvere di Carburo di Siliciu (SiC).

U carburu di siliciu (SiC), cunnisciutu ancu com'è carborundum o smerigliu, hè unu di i materiali più utilizati è ecunomichi. SiC hè dispunibule in duie forme: carburu di siliciu neru è carburu di siliciu verde.

Prucessu di pruduzzione

SiC hè pruduciutu da a fusione di sabbia di quartz, coke di petroleum, o catramu di carbone, è chips di legnu à alta temperatura in un furnace di resistenza. U carburu di siliciu verde hè specificamente fattu da a fusione di diossidu di siliciu di alta qualità è di coke di petroliu, cù u sali aghjuntu cum'è additivu.

Pruprietà è Applicazioni

- Durezza:Cascate trà corindone è diamante.

- Forza meccanica:Più altu di u corindone, fragile è affilatu.

- Conduttività:Possede una certa conduttività elettrica è termale.

A causa di queste proprietà, SiC hè ideale per applicazioni chì necessitanu durabilità è gestione termale. Hè largamente utilizatu in industrii cum'è abrasivi, refrattarii è semiconduttori.

Poudre de carbure de silicium à haute pureté
高纯碳粉-应用.jpg (1)

Caratteristiche di Carbide di Siliciu

1. Bassu Expansion Thermal:Minimize i cambiamenti di grandezza cù fluttuazioni di temperatura.
2. High Conductivity Thermal:Trasferisce efficacemente u calore.
3. Resistenza a Stress Thermal:Reduce a probabilità di stress termicu.
4. Eccellente Resistenza di Shock Thermal:Resiste à i cambiamenti rapidi di temperatura.
5. Resistenza à a corrosione:Durable contr'à danni chimichi.
6. Extreme Temperature Tolerance: Funziona bè in ambienti estremamente freddi è caldi.
7. High-Temperature Creep Resistance:Mantene a stabilità è a forza à alte temperature.

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Semicera pò persunalizà a polvera di carburu di silicium 4N-6N secondu i vostri bisogni, benvenutu à dumandà.

CONTENUT CHIMICA

SiC

98% min

SiO2

1% max

H2O3

0,5% max

Fe2O3

0,4% max

FC

0,4% max

Materiale Magneticu

0,02% max

PROPRIETATI FISICHE

Durezza di Moh

9.2

Puntu di fusione

2300 ℃

Temperature di travagliu

1900 ℃

Gravità Specifica

3,2-3,45 g/cm3

Densità Bulk

1,2-1,6 g/cm3

Culore

Neru

Modulu d'elasticità

58-65 x 106 psi

Coefficient of Thermal Expansion

3,9-4,5 x10-6/℃

Conductibilità termale

71-130 W/mK

Grandezza di granu

0-1 mm, 1-3 mm, 3-5 mm, 5-8 mm, 6/10, 10/18, 200-0 mesh, 325 mesh, 320 mesh, 400 mesh, 600 mesh, 800 mesh, 1000 mesh,
# 24, # 36, # 46, # 60, # 80, # 100, # 120, # 180, # 220, # 240 ... Altre spec. puderia esse furnitu cum'è necessariu.

 


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