U CVD SiC Etching Ring di Semicera, una soluzione di primura pensata per i prucessi avanzati di fabricazione di semiconduttori. I nostri anelli di incisione sò sapientemente creati per rinfurzà a prestazione di i soffioni di doccia CVD SiC, assicurendu risultati ottimali durante u prucessu di diffusione. Cù a so custruzzione robusta è l'ingegneria di precisione, questi anelli furniscenu l'affidabilità è l'efficienza necessarie per l'applicazioni di gravure secca di alta qualità.
À Semicera, capiscenu u rolu criticu chì u carburu di siliciu ghjoca in a tecnulugia di i semiconduttori. I nostri anelli di incisione CVD SiC sò specificamente pensati per accodà diversi prucessi, cumprese MOCVD è altre tecniche di incisione. A cumpusizioni di SiC solida garantisce una stabilità termica eccellente è una resistenza chimica, facendu i nostri anelli di incisione una scelta preferita per l'ambienti più esigenti.
U nostru impegnu à l'innuvazione è a qualità assicura chì ogni anellu di incisione CVD SiC risponde à i più alti standard di l'industria. Scegliete Semicera per le vostre soluzioni di incisione e sperimentate prestazioni e durabilità senza precedenti su misura per le vostre esigenze uniche. Cù a nostra cumpetenza in docce SiC è tecnulugia di incisione, simu quì per sustene u vostru successu in u campu di i semiconduttori.
In u campu di semiconductor, a stabilità di ogni cumpunente hè assai impurtante per tuttu u prucessu. Tuttavia, in un ambiente à alta temperatura, u grafite hè facilmente oxidatu è persu, è u revestimentu SiC pò furnisce una prutezzione stabile per e parti di grafite. In uSemicerasquadra, avemu u nostru equipamentu di trasfurmazioni di purificazione di grafite, chì ponu cuntrullà a purità di grafite sottu 5ppm. A purezza di u revestimentu di carburu di siliciu hè ancu sottu à 5 ppm.
✓ Alta qualità in u mercatu cinese
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