Introduzione à u Revestimentu di Carburu di Siliciu
U nostru rivestimentu di Carburo di Siliciu (SiC) per a Deposizione Chimica di Vapore (CVD) hè un stratu altamente durable è resistente à l'usura, ideale per ambienti chì esigenu alta corrosione è resistenza termica.Rivestimentu di Carburu di Siliciuhè appiicata in strati sottili nantu à diversi sustrati attraversu u prucessu CVD, chì offre caratteristiche di rendiment superiore.
Funzioni chjave
● -Purezza eccezziunale: Vantendu una cumpusizioni ultra-pura di99,99995%, i nostriRivestimentu SiCminimizza i risichi di contaminazione in operazioni di semiconductor sensibili.
● -Resistenza Superiore: Mostra un'eccellente resistenza à l'usura è à a corrosione, facendu perfetta per i paràmetri chimichi è di plasma difficili.
● -High Conductivity Thermal: Assicura un rendimentu affidabile à temperature estreme per via di e so proprietà termiche eccezziunali.
● -Stabilità dimensionale: Mantene l'integrità strutturale in una larga gamma di temperature, grazia à u so bassu coefficient di espansione termica.
● -Enhanced Durezza: Cù una classificazione di durezza di40 GPa, u nostru revestimentu SiC resiste à l'impattu è l'abrasione significativu.
● -Smooth Superficie Finish: Fornisce una finitura simile à un specchiu, riducendu a generazione di particelle è aumentendu l'efficienza operativa.
Applicazioni
Semicera rivestimenti SiCsò usati in diverse fasi di a fabricazione di semiconduttori, cumprese:
● -Fabricazione di chip LED
● -Pruduzzione Polysilicon
● -Crescita di cristalli semiconduttori
● -Epitassi di SiC è SiC
● -Ossidazione e diffusione termica (TO&D)
Fornimu cumpunenti rivestiti di SiC fatti da grafite isostaticu ad alta resistenza, carbone rinforzatu cù fibra di carbonu è carburu di siliciu ricristallizatu 4N, adattati per reattori à lettu fluidizatu,Convertitori STC-TCS, riflettori di unità CZ, barca di wafer SiC, paddle SiCwafer, tubu di wafer SiC, è trasportatori di wafer usati in PECVD, epitassi di silicio, processi MOCVD.
Beneficii
● -Extended Lifespan: Riduce significativamente i tempi di inattività di l'equipaggiu è i costi di mantenimentu, aumentendu l'efficienza generale di a produzzione.
● -Improved Quality: Ottene superfici d'alta purezza necessarie per u processu di semiconductor, cusì aumentendu a qualità di u produttu.
● -Aumentu efficienza: Optimizes i prucessi termali è CVD, risultatu in tempi di ciclu più brevi è rendimenti più alti.
Specificazioni tecniche
● -Struttura: FCC β phase polycristaline, principalement (111)orienté
● -Densità: 3,21 g/cm³
● -Durezza: 2500 durezza Vicks (500 g di carica)
● -Toughness Fracture: 3,0 MPa·m1/2
● -Coefficient d'espansione termica (100-600 °C): 4,3 x 10-6k-1
● - Modulu elasticu (1300 ℃):435 GPa
● -Typical Film Thickness:100 µm
● -Rugosità di a superficia:2-10 µm
Dati di purezza (misurati da spettroscopia di massa di scarica incandescente)
| Elementu | ppm | Elementu | ppm |
| Li | < 0,001 | Cu | < 0,01 |
| Be | < 0,001 | Zn | < 0,05 |
| Al | < 0,04 | Ga | < 0,01 |
| P | < 0,01 | Ge | < 0,05 |
| S | < 0,04 | As | < 0,005 |
| K | < 0,05 | In | < 0,01 |
| Ca | < 0,05 | Sn | < 0,01 |
| Ti | < 0,005 | Sb | < 0,01 |
| V | < 0,001 | W | < 0,05 |
| Cr | < 0,05 | Te | < 0,01 |
| Mn | < 0,005 | Pb | < 0,01 |
| Fe | < 0,05 | Bi | < 0,05 |
| Ni | < 0,01 |
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