A deposizione atomica di strati (ALD) hè una tecnulugia di deposizione di vapore chimicu chì cresce filmi sottili strati per strati iniettendu alternativamente duie o più molécule precursori. ALD hà i vantaghji di un altu cuntrollu è uniformità, è pò esse largamente utilizatu in i dispositi semiconductori, i dispusitivi optoelettronici, i dispusitivi per l'almacenamiento d'energia è altri campi. I principii basi di ALD includenu l'adsorption di precursori, a reazione di a superficia è a rimozione di u produttu, è i materiali multi-layer ponu esse furmati da ripetizione di sti passi in un ciculu. ALD hà e caratteristiche è i vantaghji di alta cuntrullabilità, uniformità è struttura non-porosa, è pò esse usata per a deposizione di una varietà di materiali sustrati è diversi materiali.
ALD hà e seguenti caratteristiche è vantaghji:
1. Alta cuntrullabilità:Siccomu ALD hè un prucessu di crescita di strati per strati, u gruixu è a cumpusizioni di ogni strata di materiale pò esse cuntrullata precisamente.
2. Uniformità:ALD pò dipositu materiali uniformi nantu à tutta a superficia di u sustrato, evitendu l'irregularità chì pò accade in altre tecnulugia di depositu.
3. Struttura non porosa:Siccomu l'ALD hè dipositu in unità di atomi o molécules singuli, a film resultanti di solitu hà una struttura densa, non porosa.
4. Bona prestazione di copertura:ALD pò copre in modu efficace strutture di proporzioni d'aspettu elevate, cum'è matrici di nanopori, materiali di alta porosità, etc.
5. Scalabilità:ALD pò esse usatu per una varietà di materiali sustrati, cumpresi metalli, semiconduttori, vetru, etc.
6. Versatilità:Per selezziunà e diverse molécule precursori, una varietà di materiali diffirenti pò esse dipositu in u prucessu ALD, cum'è ossidi di metalli, sulfuri, nitruri, etc.
