Lingotto SiC semi-isolante di alta purezza 4″ 6″

Descrizione breve:

I Lingotti SiC semi-isolanti di alta purezza da 4"6" di Semicera sò meticulosamente creati per applicazioni elettroniche è optoelettroniche avanzate. Dotati di una conduttività termica superiore è di una resistività elettrica, questi lingotti furniscenu una basa robusta per i dispositi d'altu rendiment. Semicera assicura una qualità consistente è affidabilità in ogni pruduttu.


Detail di u produttu

Tags di u produttu

I Lingotti SiC semi-isolanti di alta purezza 4"6" di Semicera sò pensati per risponde à i standard esigenti di l'industria di i semiconduttori. Questi lingotti sò pruduciuti cun un focusu nantu à a purità è a cuerenza, facendu una scelta ideale per l'applicazioni d'alta putenza è di alta frequenza induve u rendiment hè primurosu.

E proprietà uniche di questi lingotti di SiC, cumprese una alta conduttività termale è una eccellente resistività elettrica, li facenu particularmente adattati per l'usu in l'elettronica di putenza è i dispositi di microonde. A so natura semi-isolante permette una dissipazione efficace di u calore è una minima interferenza elettrica, chì porta à cumpunenti più efficaci è affidabili.

Semicera impiega processi di fabricazione di punta per pruduce lingotti cù una qualità eccezziunale di cristalli è uniformità. Questa precisione assicura chì ogni lingotti pò esse usatu in modu affidabile in applicazioni sensibili, cum'è amplificatori d'alta frequenza, diodi laser, è altri dispositi optoelettronici.

Disponibile in dimensioni di 4-inch è 6-inch, i lingotti SiC di Semicera furniscenu a flessibilità necessaria per diverse scale di produzzione è esigenze tecnologiche. Sia per a ricerca è u sviluppu o a produzzione di massa, questi lingotti offrenu e prestazioni è a durabilità chì i sistemi elettronichi muderni dumandanu.

Scegliendo i Lingotti SiC semi-isolanti di alta purezza di Semicera, investite in un pruduttu chì combina a scienza avanzata di i materiali cù una sperienza di fabricazione senza paragone. Semicera hè dedicatu à sustene l'innuvazione è a crescita di l'industria di i semiconduttori, offre materiali chì permettenu u sviluppu di i dispositi elettronichi di punta.

Articuli

Pruduzzione

Ricerca

Dummy

Parametri Crystal

Politipu

4H

Errore di orientazione di a superficia

<11-20>4 ± 0,15 °

Parametri elettrici

Dopantu

Nitrogenu di tipu n

Resistività

0,015-0,025 ohm·cm

Parametri meccanichi

Diamitru

150,0 ± 0,2 mm

Spessore

350±25 μm

Orientazione pianu primaria

[1-100] ± 5 °

Lunghezza piatta primaria

47,5 ± 1,5 mm

Pianu secundariu

Nimu

TTV

≤5 μm

≤ 10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

arcu

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤ 35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Rugosità frontale (Si-face) (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Struttura

Densità di micropipe

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ca/cm2

impurità metalliche

≤5E10atomi/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ca/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Qualità Frontale

Fronte

Si

Finitura di a superficia

Si-face CMP

Particelle

≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm)

NA

Scratchs

≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru

Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru

NA

Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione

Nimu

NA

Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali

Nimu

Zone polytype

Nimu

Area cumulativa ≤ 20%

Area cumulativa ≤ 30%

Marcatura laser frontale

Nimu

Back Quality

Finitura di daretu

C-face CMP

Scratchs

≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru

NA

Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni)

Nimu

Rugosità di u spinu

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Marcatura laser posteriore

1 mm (da u bordu superiore)

Edge

Edge

Smusso

Imballaggio

Imballaggio

Epi-ready cun imballaggio in vacuum

Imballaggio di cassette multi-wafer

*Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD.

tech_1_2_size
Wafers di SiC

  • Previous:
  • Next: