I Lingotti SiC semi-isolanti di alta purezza 4"6" di Semicera sò pensati per risponde à i standard esigenti di l'industria di i semiconduttori. Questi lingotti sò pruduciuti cun un focusu nantu à a purità è a coerenza, facendu una scelta ideale per l'applicazioni d'alta putenza è di alta frequenza induve u rendiment hè primurosu.
E proprietà uniche di questi lingotti di SiC, cumprese una alta conduttività termale è una eccellente resistività elettrica, li facenu particularmente adattati per l'usu in l'elettronica di putenza è i dispositi di microonde. A so natura semi-isolante permette una dissipazione efficace di u calore è una minima interferenza elettrica, purtendu à cumpunenti più efficaci è affidabili.
Semicera impiega processi di fabricazione di punta per pruduce lingotti cù una qualità eccezziunale di cristalli è uniformità. Questa precisione assicura chì ogni lingotti pò esse usatu in modu affidabile in applicazioni sensibili, cum'è amplificatori d'alta frequenza, diodi laser, è altri dispositi optoelettronici.
Disponibile in dimensioni di 4-inch è 6-inch, i lingotti SiC di Semicera furniscenu a flessibilità necessaria per diverse scale di produzzione è esigenze tecnologiche. Sia per a ricerca è u sviluppu o a produzzione di massa, questi lingotti offrenu e prestazioni è a durabilità chì i sistemi elettronichi muderni dumandanu.
Scegliendo i Lingotti SiC semi-isolanti di alta purezza di Semicera, investite in un pruduttu chì combina a scienza avanzata di i materiali cù una sperienza di fabricazione senza paragone. Semicera hè dedicatu à sustene l'innuvazione è a crescita di l'industria di i semiconduttori, offre materiali chì permettenu u sviluppu di i dispositi elettronichi di punta.
| Articuli | Pruduzzione | Ricerca | Dummy |
| Parametri Crystal | |||
| Politipu | 4H | ||
| Errore di orientazione di a superficia | <11-20>4 ± 0,15 ° | ||
| Parametri elettrici | |||
| Dopantu | Nitrogenu di tipu n | ||
| Resistività | 0,015-0,025 ohm·cm | ||
| Parametri meccanichi | |||
| Diamitru | 150,0 ± 0,2 mm | ||
| Spessore | 350±25 μm | ||
| Orientazione pianu primaria | [1-100] ± 5 ° | ||
| Lunghezza piatta primaria | 47,5 ± 1,5 mm | ||
| Pianu secundariu | Nimu | ||
| TTV | ≤5 μm | ≤10 μm | ≤15 μm |
| LTV | ≤3 μm (5mm*5mm) | ≤5 μm (5mm*5mm) | ≤10 μm (5mm*5mm) |
| arcu | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Warp | ≤ 35 μm | ≤45 μm | ≤55 μm |
| Rugosità frontale (Si-face) (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Struttura | |||
| Densità di micropipe | <1 ea/cm2 | <10 ea/cm2 | <15 ca/cm2 |
| impurità metalliche | ≤5E10atomi/cm2 | NA | |
| BPD | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ca/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| Qualità Frontale | |||
| Fronte | Si | ||
| Finitura di a superficia | Si-face CMP | ||
| Particelle | ≤60ea/wafer (taglia ≥0.3μm) | NA | |
| Scratchs | ≤5ea/mm. Lunghezza cumulativa ≤Diametru | Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA |
| Buccia d'arancia / buche / macchie / striature / crepe / contaminazione | Nimu | NA | |
| Chips di bordu / indentazioni / frattura / piastre esagonali | Nimu | ||
| Zone polytype | Nimu | Area cumulativa ≤ 20% | Area cumulativa ≤ 30% |
| Marcatura laser frontale | Nimu | ||
| Back Quality | |||
| Finitura di daretu | C-face CMP | ||
| Scratchs | ≤5ea/mm, Lunghezza cumulativa ≤2 * Diametru | NA | |
| Difetti in daretu (chips di bordu / indentazioni) | Nimu | ||
| Rugosità di u spinu | Ra≤0.2nm (5μm*5μm) | ||
| Marcatura laser posteriore | 1 mm (da u bordu superiore) | ||
| Edge | |||
| Edge | Smusso | ||
| Imballaggio | |||
| Imballaggio | Epi-ready cun imballaggio in vacuum Imballaggio di cassette multi-wafer | ||
| *Note: "NA" significa senza dumanda Articuli micca citati ponu riferite à SEMI-STD. | |||
