36 pezzi di 4 inch basi di grafite parti di l'equipaggiu MOCVD

Descrizione breve:

Introduzione è usu di u produttu: Pone 36 pezzi di sustrato di 4 ore, utilizatu per cultivà LED cù film epitaxial blu-verde

Locu di u dispusitivu di u pruduttu: in a camera di reazzione, in cuntattu direttu cù l'ostia

Principali prudutti downstream: chip LED

Mercatu finale principale: LED


Detail di u produttu

Tags di u produttu

Descrizzione

A nostra cumpagnia furnisceRivestimentu SiCservizii di prucessu da u metudu CVD nantu à a superficia di grafite, ceramica è altri materiali, cusì chì i gasi spiciali chì cuntenenu carbone è siliciu reagiscenu à alta temperatura per ottene molécule SiC d'alta purezza, molécule depositate nantu à a superficia di i materiali rivestiti, furmendustrata protettiva SIC.

 

Base di grafite - 36

Funzioni principali

1. Resistenza à l'ossidazione à alta temperatura:
a resistenza à l'ossidazione hè sempre assai bona quandu a temperatura hè alta cum'è 1600 C.
2. Purità alta: fatta da a deposizione di vapore chimicu sottu a cundizione di chlorination à alta temperatura.
3. Resistenza à l'erosione: alta durezza, superficia compacta, particelle fini.
4. Resistenza à a corrosione: acidu, alkali, sali è reagenti organici.

Specificazioni principali di CVD-SIC Coating

Proprietà SiC-CVD
Struttura cristallina FCC phase β
Densità g/cm³ 3.21
Durezza Durezza Vickers 2500
Grandezza di granu μm 2 ~ 10
Purità chimica % 99,99995
Capacità di calore J·kg-1 ·K-1 640
Temperature di sublimazione 2700
Forza Flessurale MPa (RT à 4 points) 415
Modulu di u ghjovanu Gpa (curvatura 4pt, 1300 ℃) 430
Dilatazione termica (CTE) 10-6K-1 4.5
Conduttività termica (W/mK) 300
Semicera Locu di travagliu
Semicera postu di travagliu 2
Macchina di l'equipaggiu
Trattamentu CNN, pulizia chimica, rivestimentu CVD
Magazzino Semicera
U nostru serviziu

  • Previous:
  • Next: