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Chì ghjè u carburu di tantalu?
U carbure di tantalu (TaC) hè un compostu binariu di tantalu è carbonu cù a formula chimica TaC x, induve x generalmente varieghja trà 0,4 è 1. Sò materiali ceramichi estremamente duru, brittle, refrattarii cun conductibilità metallica. Sò polveri marroni-grigi è noi...Leghjite più -
ciò chì hè u carburu di tantalu
U carburu di tantalu (TaC) hè un materiale ceramicu ultra-alta temperatura cù resistenza à alta temperatura, alta densità, alta compattezza; alta purezza, cuntenutu impurità <5PPM; è l'inerzia chimica à l'ammonia è l'idrogenu à alta temperatura, è una bona stabilità termale. U cusì chjamatu ultra-high ...Leghjite più -
Cos'è l'epitassia?
A maiò parte di l'ingegneri ùn sò micca familiarizati cù l'epitassia, chì ghjoca un rolu impurtante in a fabricazione di dispositivi semiconduttori. L'epitassia pò esse usata in diversi prudutti di chip, è i prudutti diffirenti anu diverse tippi di epitassi, cumprese l'epitassia Si, l'epitassia SiC, l'epitassia GaN, ecc.Leghjite più -
Chì sò i parametri impurtanti di SiC?
U carburu di siliciu (SiC) hè un materiale semiconductor largu bandgap impurtante largamente utilizatu in i dispositi elettronichi d'alta putenza è d'alta frequenza. Eccu alcuni parametri chjave di i wafers di carburu di siliciu è e so spiegazioni dettagliate: Parametri di Lattice: assicuratevi chì u ...Leghjite più -
Perchè u siliciu unicu cristallu deve esse rotulatu?
Rolling si riferisce à u prucessu di macinazione di u diametru esternu di una barra di cristallu di siliciu in una sola barra di cristallu di u diametru necessariu utilizendu una mola di diamante, è di macinazione di una superficia di riferimentu di bordu pianu o di una scanalatura di posizionamentu di a barra di cristallo unicu. A superficia di diametru esternu ...Leghjite più -
Processi per a Produzzione di Polveri SiC di Alta Qualità
U carburu di silicium (SiC) hè un compostu inorganicu cunnisciutu per e so proprietà eccezziunali. SiC naturale, cunnisciutu com moissanite, hè abbastanza raru. In l'applicazioni industriali, u carburu di siliciu hè pruduciutu principarmenti per metudi sintetici. À Semicera Semiconductor, sfruttemu a tecnulugia avanzata ...Leghjite più -
Controlu di l'uniformità di a resistività radiale durante a tiratura di cristalli
I mutivi principali chì affettanu l'uniformità di a resistività radiale di i cristalli unichi sò a flatness di l'interfaccia solidu-liquidu è l'effettu pianu pianu durante a crescita di cristalli L'influenza di a flatness di l'interfaccia solidu-liquidu Durante a crescita di cristalli, se a fusione hè agitata uniformemente. , lu...Leghjite più -
Perchè u campu magneticu di u fornu di cristallo unicu pò migliurà a qualità di u cristallu unicu
Siccomu u crucible hè utilizzatu cum'è cuntainer è ci hè cunvezione in l'internu, cum'è a dimensione di u cristallu unicu generatu aumenta, a cunvezione di calore è l'uniformità di gradiente di temperatura diventanu più difficili di cuntrullà. Aghjunghjendu u campu magneticu per fà chì a fusione conduttiva agisce nantu à a forza di Lorentz, a convezione pò esse ...Leghjite più -
Crescita rapida di cristalli unichi di SiC aduprendu a fonte di massa CVD-SiC per u metudu di sublimazione
Crescita rapida di SiC Single Crystal Utilizendu CVD-SiC Bulk Source via Sublimation MethodUsendu blocchi CVD-SiC riciclati cum'è fonte di SiC, i cristalli di SiC sò stati cultivati cù successu à una velocità di 1.46 mm / h attraversu u metudu PVT. U micropipe di u cristallu cultivatu è a densità di dislocazione indicanu chì de ...Leghjite più -
Cuntenutu ottimizatu è traduttu nantu à l'equipaggiu di crescita epitassiale di carburu di silicium
I sustrati di carburu di silicium (SiC) anu numerosi difetti chì impediscenu u prucessu direttu. Per creà chip wafers, un film monocristallu specificu deve esse cultivatu nantu à u sustrato SiC attraversu un prucessu epitaxial. Stu filmu hè cunnisciutu com'è a capa epitaxial. Quasi tutti i dispositi SiC sò realizati nantu à epitassi ...Leghjite più -
U rolu cruciale è i casi d'applicazione di i suscettori di grafite rivestiti di SiC in a fabricazione di semiconduttori
Semicera Semiconductor pensa à aumentà a produzzione di cumpunenti core per l'equipaggiu di fabricazione di semiconduttori in u mondu. Da u 2027, avemu u scopu di stabilisce una nova fabbrica di 20 000 metri quadrati cù un investimentu tutale di 70 milioni di USD. Unu di i nostri cumpunenti core, u carburu di siliciu (SiC) wafer carr...Leghjite più -
Perchè avemu bisognu di fà epitassi nantu à sustrati di wafer di siliciu?
In a catena di l'industria di i semiconduttori, in particulare in a catena di l'industria di i semiconduttori di a terza generazione (semiconductor wide bandgap), ci sò sustrati è strati epitaxiali. Chì ghjè u significatu di a capa epitaxial? Chì ghjè a diffarenza trà u sustrato è u sustrato? U sottu ...Leghjite più