In u prucessu di preparazione di wafer, ci sò dui ligami core: unu hè a preparazione di u sustrato, è l'altru hè l'implementazione di u prucessu epitaxial. U sustrato, un wafer accuratamente crafted da un materiale di cristallo unicu semiconductor, pò esse direttamente in u prucessu di fabricazione di wafer cum'è una basa per pruduce i dispositi semiconductor, o pò esse rinfurzatu più per mezu di prucessi epitassiali.
Allora, chì hè a denotazione? In corta, l'epitassia hè a crescita di una nova capa di cristallu unicu nantu à un sustrato di cristallo unicu chì hè stata finemente trasfurmata (taglia, macinazione, lucidatura, etc.). Questa nova capa di cristallu unicu è u sustrato pò esse fattu di u stessu materiale o di materiali diffirenti, per quessa chì a crescita homogenea o heteroepitaxial pò esse ottenuta cum'è necessariu. Perchè a nova capa di cristallu unicu si espansione secondu a fase di cristallu di u sustrato, hè chjamata capa epitaxial. U so grossu hè generalmente solu uni pochi microns. Pigliendu u siliciu cum'è un esempiu, a crescita epitaxial di siliciu hè di cultivà una strata di siliciu cù a listessa orientazione di cristalli cum'è u sustrato, resistività cuntrullabile è spessore, nantu à un sustrato di cristallo unicu di siliciu cù una orientazione cristallina specifica. Una strata di cristallu unicu di silicone cù una struttura di reticulata perfetta. Quandu a capa epitaxial hè cultivata nantu à u sustrato, u tuttu hè chjamatu wafer epitaxial.
Per l'industria tradiziunale di semiconductor di siliciu, a fabricazione di apparecchi d'alta frequenza è d'alta putenza direttamente nantu à i wafers di siliciu hà da scontru alcune difficultà tecniche. Per esempiu, i bisogni di alta tensione di rottura, resistenza di serie chjuca è caduta di tensione di saturazione chjuca in l'area di u cullettore sò difficiuli di ottene. L'intruduzioni di a tecnulugia di epitassi risolve in modu intelligente questi prublemi. A suluzione hè di cultivà una capa epitassiale d'alta resistività nantu à un sustrato di siliciu di bassa resistività, è poi fabbricà dispusitivi nantu à u stratu epitaxial d'alta resistenza. In questu modu, u stratu epitaxial high-resistivity furnisce un altu voltage di rottura per u dispusitivu, mentre chì u sustrato bassu resistività riduce a resistenza di u sustrato, riducendu cusì a caduta di tensione di saturazione, ottenendu cusì alta tensione di rottura è picculu Balance trà resistenza è piccula caduta di tensione.
Inoltre, tecnulugie epitassi cum'è epitassi in fase di vapore è epitassi in fase liquida di GaAs è altri III-V, II-VI è altri materiali semiconduttori composti molecolari sò ancu sviluppati assai è sò diventati a basa per a maiò parte di i dispositi microonde, i dispositi optoelettronici è u putere. dispusitivi. Tecnulugie di prucessu indispensabile per a produzzione, in particulare l'applicazione riescita di a tecnulugia di epitassi di fasi di vapore metallico-organicu è di fasi molekulari in strati sottili, superlattice, pozzi quantum, superlattice strained, è epitassi di strati sottili à livellu atomicu sò diventati un novu campu di ricerca di semiconduttori. U sviluppu di "Prughjettu Energy Belt" hà stabilitu una basa solida.
In quantu à i dispositi semiconduttori di a terza generazione, quasi tutti i dispusitivi semiconduttori sò fatti nantu à a capa epitaxial, è a wafer di carburu di siliciu stessu serve solu com'è sustrato. U spessore di u materiale epitaxial SiC, a cuncentrazione di u trasportatore di fondo è altri parametri determinanu direttamente e diverse proprietà elettriche di i dispositi SiC. Dispositivi di carburu di siliciu per l'applicazioni d'alta tensione presentanu novi esigenze per parametri cum'è u spessore di i materiali epitassiali è a cuncentrazione di u trasportatore di fondo. Dunque, a tecnulugia epitassiale di carburu di silicuu ghjoca un rolu decisivu in l'utilizazione cumpleta di e prestazioni di i dispositi di carburu di siliciu. A preparazione di quasi tutti i dispositi di putenza SiC hè basatu annantu à wafers epitassiali SiC di alta qualità. A produzzione di strati epitassiali hè una parte impurtante di l'industria di i semiconduttori à banda larga.
Tempu di post: May-06-2024