A crescita epitaxial hè una tecnulugia chì cresce una sola capa di cristallu nantu à un sustrato di cristallu unicu (sustratu) cù a listessa orientazione di cristalli cum'è u sustrato, cum'è s'ellu u cristallu originale s'hè allargatu fora.Stu stratu di cristallu unicu di novu cultivatu pò esse sfarente da u sustrato in quantu à u tipu di conducibilità, a resistività, etc., è pò cultivà cristalli unichi multistrati cù diversi spessori è esigenze diverse, migliurà cusì assai a flessibilità di u disignu di u dispusitivu è u rendiment di u dispusitivu.Inoltre, u prucessu epitaxial hè ancu largamente utilizatu in a tecnulugia di isolamentu di junction PN in circuiti integrati è in a migliurà a qualità di materiale in circuiti integrati à grande scala.
A classificazione di l'epitassia hè principalmente basata nantu à e diverse cumpusizioni chimiche di u sustrato è u stratu epitaxial è i diversi metudi di crescita.
Sicondu e diverse cumpusizioni chimiche, a crescita epitaxial pò esse divisa in dui tipi:
1. Homoepitaxial: In questu casu, a capa epitaxial hà a listessa cumpusizioni chimica cum'è u sustrato.Per esempiu, i strati epitaxiali di siliciu sò cultivati direttamente nantu à sustrati di siliciu.
2. Heteroepitaxy: Quì, a cumpusizioni chimica di a capa epitaxial hè diversa da quella di u sustrato.Per esempiu, una capa epitaxial di nitruru di gallu hè cultivata nantu à un sustrato di zaffiro.
Sicondu diversi metudi di crescita, a tecnulugia di crescita epitaxiale pò ancu esse divisa in diversi tipi:
1. Epitassi di fasciu moleculare (MBE): Questa hè una tecnulugia per a crescita di filmi sottili di cristalli unichi nantu à sustrati di cristalli unichi, chì hè ottenuta da cuntrullà precisamente u flussu di u fasciu moleculare è a densità di u fasciu in ultra-high vacuum.
2. Depositu di vapore chimicu metalu-organicu (MOCVD): Sta tecnulugia usa composti metalli-organici è reagenti in fase di gasu per realizà reazzione chimica à alte temperature per generà i materiali di film sottili necessarii.Hè larga appiicazioni in a preparazione di materiali semiconduttori cumposti è dispusitivi.
3. Epitaxie di fase liquida (LPE): Aghjunghjendu materiale liquidu à un sustrato di cristallu unicu è eseguisce trattamentu termale à una certa temperatura, u materiale liquidu cristallizza per furmà una sola film di cristallo.I filmi preparati da sta tecnulugia sò lattice-matched à u sustrato è sò spessu usati per preparà materiali semiconductor cumposti è dispusitivi.
4. Epitaxie di fase di vapore (VPE): Utilizeghja reagenti gassosi per realizà reazzioni chimichi à alte temperature per generà i materiali di film sottili necessarii.Sta tecnulugia hè adattata per a preparazione di filmi monocristalli di grande superficie è di alta qualità, è hè soprattuttu eccezziunale in a preparazione di materiali è dispusitivi semiconduttori cumposti.
5. Epitassi di fasciu chimicu (CBE): Sta tecnulugia usa raghji chimichi per cultivà filmi di cristalli unichi nantu à sustrati di cristalli unichi, chì hè ottenutu da cuntrullà precisamente u flussu di u fasciu chimicu è a densità di u fasciu.Hè larga applicazioni in a preparazione di filmi sottili di cristalli unichi d'alta qualità.
6. Epitassi di strati atomichi (ALE): Utilizendu a tecnulugia di deposizioni di strati atomichi, i materiali di film magre necessarii sò dipositati strati per strati nantu à un sustrato di cristallu unicu.Sta tecnulugia pò preparà filmi di cristalli unichi di grande superficie è d'alta qualità è hè spessu usata per preparà materiali è dispusitivi semiconduttori cumposti.
7. Epitaxie murale calda (HWE): Attraversu u riscaldamentu à alta temperatura, i reactanti gasosi sò dipositati nantu à un sustrato di cristallo unicu per furmà una sola film di cristallo.Sta tecnulugia hè ancu adattata per a preparazione di filmi di cristalli unichi di grande superficie è d'alta qualità, è hè sopratuttu utilizata in a preparazione di materiali semiconduttori cumposti è dispusitivi.
Tempu di post: May-06-2024