Chì sò i passi principali in a trasfurmazioni di sustrati SiC?

Cumu pruduciamu i passi di trasfurmazioni per i sustrati SiC sò i seguenti:

1. Orientazione di Cristalli: Utilizendu a diffrazione di raghji X per orientà u lingote di cristalli.Quandu un fasciu di raghji X hè direttu à a faccia di cristallu desiderata, l'angolo di u fasciu diffrattu determina l'orientazione di u cristallu.

2. Grinding di Diametru Esternu: I cristalli unichi cultivati ​​in crucibles di grafite spessu superanu i diametri standard.A macinazione di diametru esternu li riduce à dimensioni standard.

End Face Grinding: I sustrati 4H-SiC di 4 pollici anu tipicamente dui bordi di posizionamentu, primariu è secundariu.A rettifica di faccia finale apre questi bordi di posizionamentu.

3. Wire Sawing: Wire Sawing hè un passu cruciale in a trasfurmazioni di sustrati 4H-SiC.Cracks è danni sub-superficiali causati durante a serratura di filu anu un impattu negativu in i prucessi successivi, allargendu u tempu di trasfurmazioni è causendu a perdita di materiale.U metudu più cumuni hè a sega multi-fili cù abrasivi diamantati.Un muvimentu alternativu di fili metallici uniti cù abrasivi di diamanti hè utilizatu per tagliate u lingotto 4H-SiC.

4. Chamfering: Per prevene edge chips è riduce i perditi di cunsumu durante i prucessi sussegwenti, l'arghjintini sharp of the wire-sawn chips sò chamfered à forme specificate.

5. Thinning: Wire sewing lascia assai graffi è danni sub-superficie.A diluzione hè fatta cù roti di diamanti per sguassà queste difetti quant'è pussibule.

6. Grinding: Stu prucessu include rough grinding and fine grinding using smaller-sized boron carbide or diamond abrasives per sguassà i danni residuali è i novi danni introdotti durante a thinning.

7. Pulitura: L'ultimi passi implicanu a pulitura grossa è a lucidatura fine cù abrasivi d'alumina o d'ossidu di siliciu.U liquidu di lucidatura ammorbidisce a superficia, chì hè poi eliminata meccanicamente da abrasivi.Stu passu assicura una superficia liscia è senza danni.

8. Pulizia: Eliminazione di particelle, metalli, filmi d'ossidu, residui organici è altri contaminanti lasciati da i passi di trasfurmazioni.

Epitassi SiC (2) - 副本(1)(1)


Tempu di Post: 15-May-2024