carbure de silicium (SiC)hè un materiale semiconductor largu bandgap impurtante largamente utilizatu in i dispositi elettronichi d'alta putenza è d'alta frequenza. I seguenti sò qualchi paràmetri chjave diwafers di carburu di siliciuè e so spiegazioni dettagliate:
Parametri di lattice:
Assicuratevi chì a lattice constantu di u sustrato currisponde à a capa epitaxial da cultivà per riduce i difetti è u stress.
Per esempiu, 4H-SiC è 6H-SiC anu diverse custanti di lattice, chì affettanu a so qualità epitaxiale è u rendiment di u dispusitivu.
Sequenza di stacking:
SiC hè cumpostu di atomi di siliciu è atomi di carbonu in un rapportu 1: 1 in una scala macro, ma l'ordine di l'arrangiamentu di i strati atomichi hè diversu, chì formanu diverse strutture di cristalli.
Forme di cristalli cumuni includenu 3C-SiC (struttura cubica), 4H-SiC (struttura esagonale), è 6H-SiC (struttura esagonale), è e sequenze di stacking currispundenti sò: ABC, ABCB, ABCACB, etc. Ogni forma di cristallu hà diverse elettroniche. caratteristiche è pruprietà fisiche, cusì sceglie a forma di cristallu ghjustu hè cruciale per applicazioni specifiche.
Durezza Mohs: Determina a durezza di u sustrato, chì afecta a facilità di trasfurmazioni è a resistenza à l'usura.
U carburu di siliciu hà una durezza Mohs assai alta, di solitu trà 9-9,5, facendu un materiale assai duru adattatu per applicazioni chì necessitanu una alta resistenza à l'usura.
Densità: Affetta a forza meccanica è e proprietà termali di u sustrato.
A densità alta generalmente significa una forza meccanica è una conduttività termale megliu.
Coefficient d'Expansion Thermal: Si riferisce à l'aumentu di a lunghezza o di u voluminu di u sustrato relative à a lunghezza o u voluminu originale quandu a temperatura aumenta da un gradu Celsius.
L'adattazione trà u sustrato è a capa epitaxial sottu cambiamenti di temperatura influenza a stabilità termale di u dispusitivu.
Indice di rifrazione: Per l'applicazioni ottiche, l'indice di rifrazione hè un paràmetru chjave in u disignu di i dispositi optoelettronici.
Differenzi in l'indice di rifrazione affettanu a velocità è u percorsu di l'onda di luce in u materiale.
Constant Dielectric: Affetta e caratteristiche di capacità di u dispusitivu.
Una constante dielettrica più bassa aiuta à riduce a capacità parassita è à migliurà u rendiment di u dispusitivu.
Conduttività termica:
Critica per l'applicazioni d'alta putenza è di alta temperatura, affettendu l'efficienza di rinfrescante di u dispusitivu.
L'alta conduttività termale di u carburu di siliciu u face bè adattatu per i dispositi elettronichi d'alta putenza perchè pò cunduce efficacemente u calore luntanu da u dispusitivu.
Band-gap:
Si riferisce à a diferenza di energia trà a cima di a banda di valenza è u fondu di a banda di cunduzzione in un materiale semiconductor.
I materiali di larga distanza necessitanu una energia più alta per stimulà e transizioni elettroniche, chì face chì u carburu di siliciu funziona bè in ambienti à alta temperatura è alta radiazione.
Campu Elettricu di Breakdown:
A tensione limite chì un materiale semiconductor pò sustene.
U carburu di siliciu hà un campu elettricu di rupture assai altu, chì li permette di resiste à tensioni estremamente elevate senza rompe.
Velocità di deriva di saturazione:
A vitezza media massima chì i trasportatori ponu ghjunghje dopu à un certu campu elettricu hè appiicatu in un materiale semiconductor.
Quandu a forza di u campu elettricu aumenta à un certu livellu, a velocità di u trasportatore ùn aumenterà più cù un incrementu ulteriore di u campu elettricu. A velocità in questu tempu hè chjamata a velocità di deriva di saturazione. SiC hà una alta velocità di deriva di saturazione, chì hè benefica per a realizazione di i dispositi elettronichi d'alta velocità.
Sti paràmetri inseme determinanu u rendiment è l'applicabilità diWafers di SiCin diverse applicazioni, in particulare quelli in ambienti di alta putenza, alta frequenza è alta temperatura.
Tempu di post: Jul-30-2024