Cum'è unu di i cumpunenti core diEquipamentu MOCVD, A basa di grafite hè u trasportatore è u corpu di riscaldamentu di u sustrato, chì determina direttamente l'uniformità è a purità di u materiale di film, cusì a so qualità affetta direttamente a preparazione di u fogliu epitaxial, è à u stessu tempu, cù l'aumentu di u numeru di usi è u cambiamentu di e cundizioni di travagliu, hè assai faciule d'usà, appartene à i consumables.
Ancu s'è u grafitu hà una conduttività termale è stabilità eccellente, hà un bonu vantaghju cum'è un cumpunente di basaEquipamentu MOCVD, ma in u prucessu di pruduzzione, u grafite corroderà u polu per via di u residu di gasi corrosivi è organici metallichi, è a vita di serviziu di a basa di grafite serà ridutta assai. À u listessu tempu, u polveru di grafite caduta pruvucarà a contaminazione à u chip.
L'emergenza di a tecnulugia di rivestimentu pò furnisce a fissazione di a polvera di a superficia, rinfurzà a conduttività termale è equalizà a distribuzione di u calore, chì hè diventata a tecnulugia principale per risolve stu prublema. Base di grafite inEquipamentu MOCVDUtilizà l'ambiente, u rivestimentu di a superficia di basa di grafite deve risponde à e seguenti caratteristiche:
(1) A basa di grafite pò esse impannillata cumplettamente, è a densità hè bona, altrimenti a basa di grafite hè faciule per esse corrode in u gasu corrosivu.
(2) A forza di cumminazzioni cù a basa di grafite hè alta per assicurà chì u revestimentu ùn hè micca faciule per fallu dopu à parechji cicli di temperatura alta è bassa temperatura.
(3) Hà una bona stabilità chimica per evità u fallimentu di u revestimentu in alta temperatura è atmosfera corrosiva.
SiC hà i vantaghji di resistenza à a corrosione, alta conduttività termale, resistenza di scossa termica è alta stabilità chimica, è pò travaglià bè in l'atmosfera epitaxial GaN. Inoltre, u coefficient di espansione termale di SiC difiere assai pocu da quellu di u grafitu, cusì SiC hè u materiale preferitu per u revestimentu di a superficia di a basa di grafite.
Attualmente, u SiC cumunu hè principalmente 3C, 4H è 6H, è l'usi SiC di diversi tipi di cristalli sò diffirenti. Per esempiu, 4H-SiC pò fabricà apparecchi d'alta putenza; 6H-SiC hè u più stabile è pò fabricà apparecchi fotoelettrichi; A causa di a so struttura simile à GaN, 3C-SiC pò esse usatu per pruduce strati epitassiali GaN è fabricazioni di dispositivi RF SiC-GaN. 3C-SiC hè ancu cumunimenti cunnisciutu cum'èβ-SiC, è un usu impurtante diβ-SiC hè cum'è un film è materiale di rivestimentu, cusìβ-SiC hè attualmente u materiale principale per u revestimentu.
Tempu di Postu: Nov-06-2023