Una Panoramica
In u prucessu di fabricazione di circuiti integrati, a fotolitografia hè u prucessu core chì determina u livellu di integrazione di i circuiti integrati. A funzione di stu prucessu hè di trasmette fedelmente è trasfiriri l'infurmazione grafica di u circuitu da a maschera (chjamata ancu a maschera) à u sustrato di materiale semiconductor.
U principiu di basa di u prucessu di fotolitografia hè di utilizà a reazione fotochimica di a fotoresistenza rivestita nantu à a superficia di u sustrato per registrà u mudellu di u circuitu nantu à a maschera, ottenendu cusì u scopu di trasferisce u mudellu di circuitu integratu da u disignu à u sustrato.
U prucessu di basi di a fotolitografia:
Prima, u photoresist hè appiicatu nantu à a superficia di u sustrato cù una macchina di revestimentu;
Allora, una machina di photolithography hè utilizata per espose u sustrato rivestitu cù photoresist, è u mecanismu di reazzione fotochimica hè utilizatu per registrà l'infurmazioni di u mudellu di maschera trasmessi da a macchina di fotolitografia, cumpiendu a trasmissione di fideltà, u trasferimentu è a replicazione di u mudellu di maschera à u sustrato;
Infine, un sviluppatore hè utilizatu per sviluppà u sustrato espunutu per sguassà (o mantene) u photoresist chì sottumette una reazione fotochimica dopu l'esposizione.
Secondu prucessu di fotolitografia
Per trasferisce u mudellu di circuitu cuncepitu nantu à a maschera à l'ostia di siliciu, u trasferimentu deve esse prima realizatu per mezu di un prucessu di esposizione, è dopu u mudellu di siliciu deve esse ottenutu per un prucessu di incisione.
Siccomu l'illuminazione di l'area di prucessu di fotolitografia usa una fonte di luce gialla à quale i materiali fotosensibili sò insensibili, hè ancu chjamatu l'area di luce gialla.
A fotolitografia hè stata utilizata prima in l'industria di stampa è era a tecnulugia principale per a fabricazione di PCB iniziale. Dapoi l'anni 1950, a fotolitografia hè diventata gradualmente a tecnulugia mainstream per u trasferimentu di mudelli in a fabricazione IC.
L'indicatori chjave di u prucessu di litografia includenu risoluzione, sensibilità, precisione di sovrapposizione, rate di difetti, etc.
U materiale più criticu in u prucessu di fotolitografia hè u photoresist, chì hè un materiale fotosensibile. Siccomu a sensibilità di a fotoresist dipende da a lunghezza d'onda di a fonte di luce, diversi materiali di fotoresist sò necessarii per i prucessi di fotolitografia cum'è a linea g/i, 248nm KrF è 193nm ArF.
U prucessu principale di un prucessu tipicu di fotolitografia include cinque passi:
- Preparazione di film di basa;
-Applicate photoresist è coccia suave;
-Allineamentu, esposizione è cottura post-esposizione;
- Sviluppà film duru;
- Rilevazione di u sviluppu.
(1)Preparazione di film di basa: principalmente pulizia è disidratazione. Perchè qualsiasi contaminanti debilitaranu l'aderenza trà u fotoresistente è u fotoresistente, una pulizia accurata pò migliurà l'aderenza trà u fotoresistente è u fotoresistente.
(2)Rivestimentu fotoresist: Questu hè ottenutu da a rotazione di u wafer di siliciu. Diversi photoresists necessitanu diversi paràmetri di prucessu di rivestimentu, cumprese a velocità di rotazione, u spessore di fotoresist, è a temperatura.
Baking Soft: Baking pò migliurà l'aderenza trà u photoresist è u wafer di siliciu, è ancu l'uniformità di u grossu di photoresist, chì hè benefica per u cuntrollu precisu di e dimensioni geometriche di u prucessu di incisione sussegwenti.
(3)Allineamentu è esposizione: L'allineamentu è l'esposizione sò i passi più impurtanti in u prucessu di fotolitografia. Si riferiscenu à l'allineamentu di u mudellu di maschera cù u mudellu esistenti nantu à l'ostia (o u mudellu di a capa frontale), è dopu l'irradiate cù una luce specifica. L'energia luminosa attiva i cumpunenti fotosensibili in u photoresist, trasferendu cusì u mudellu di maschera à u photoresist.
L'attrezzatura utilizata per l'allineamentu è l'esposizione hè una macchina di fotolitografia, chì hè u pezzu più caru di l'equipaggiu di prucessu in tuttu u prucessu di fabricazione di circuiti integrati. U livellu tecnicu di a macchina di fotolitografia rapprisenta u livellu di avanzamentu di tutta a linea di produzzione.
Cottura post-esposizione: si riferisce à un brevi prucessu di cottura dopu l'esposizione, chì hà un effettu sfarente di i fotoresisti ultravioletti profondi è i fotoresisti convenzionali i-line.
Per a photoresist ultravioleta prufonda, a baking post-esposizione sguassate i cumpunenti protettivi in u photoresist, chì permette à u photoresist di dissolve in u sviluppatore, cusì a coccia post-esposizione hè necessariu;
Per i photoresists i-line cunvinziunali, a cottura post-esposizione pò migliurà l'aderenza di u fotoresist è riduce l'onda stazionaria (l'onda stazionaria averà un effettu avversu nantu à a morfologia di u bordu di u fotoresist).
(4)Sviluppà u filmu duru: aduprendu u sviluppatore per dissolve a parte solubile di u photoresist (fotoresist pusitivu) dopu l'esposizione, è affissà accuratamente u mudellu di maschera cù u mudellu di photoresist.
I paràmetri chjave di u prucessu di sviluppu includenu a temperatura è u tempu di sviluppu, a dosa è a cuncentrazione di u sviluppatore, a pulizia, etc. Per aghjustà i paràmetri pertinenti in u sviluppu, a diffarenza di a velocità di dissoluzione trà e parti esposte è micca esposte di u photoresist pò esse aumentata, cusì. ottene l'effettu di sviluppu desideratu.
L'indurimentu hè ancu cunnisciutu cum'è cottura di indurimentu, chì hè u prucessu di caccià u solvente restante, u sviluppatore, l'acqua è altri cumpunenti residuali inutili in u fotoresist sviluppatu, scaldendu è evaporendu, in modu di migliurà l'adesione di u fotoresist à u sustrato di siliciu. a resistenza à l'incisione di u photoresist.
A temperatura di u prucessu di indurimentu varieghja secondu e diverse fotoresisti è i metudi di indurimentu. A premessa hè chì u mudellu di photoresist ùn si deforma è u photoresist deve esse fattu abbastanza dura.
(5)Ispezione di sviluppu: Questu hè per verificà i difetti in u mudellu di photoresist dopu u sviluppu. Di solitu, a tecnulugia di ricunniscenza di l'imaghjini hè aduprata per scansà automaticamente u mudellu di chip dopu u sviluppu è paragunà cù u mudellu standard senza difetti pre-almacenatu. Se si trova qualchì diferenza, hè cunsideratu difettu.
Se u numeru di difetti supera un certu valore, u wafer di siliciu hè ghjudicatu per avè fallutu a prova di sviluppu è pò esse scrapped o ritravagliatu cum'è degne.
In u prucessu di fabricazione di circuiti integrati, a maiò parte di i prucessi sò irreversibili, è a fotolitografia hè unu di i pochi prucessi chì ponu esse rielaborati.
Tre fotomaschere e materiali fotoresist
3.1 Fotomask
Una fotomaschera, cunnisciuta ancu com'è una maschera di fotolitografia, hè un maestru utilizatu in u prucessu di fotolitografia di a fabricazione di wafer di circuit integratu.
U prucessu di fabricazione di fotomaschere hè di cunvertisce i dati di layout originali necessarii per a fabricazione di wafer cuncepiti da ingegneri di cuncepimentu di circuiti integrati in un formatu di dati chì pò esse ricunnisciutu da generatori di mudelli laser o da l'equipaggiu di esposizione di fasci di elettroni attraversu l'elaborazione di dati di maschere, in modu chì pò esse espostu da l'equipaggiu di sopra nantu à u materiale di sustrato di photomask rivestitu cù materiale fotosensibile; dopu hè trattatu attraversu una seria di prucessi cum'è u sviluppu è l'incisione per riparà u mudellu nantu à u materiale di sustrato; infine, hè inspeccionatu, riparatu, pulito, è film-laminated à furmà un pruduttu mascara è cunsegna à u fabricatore circuit integratu per usu.
3.2 Photoresist
Photoresist, cunnisciutu ancu photoresist, hè un materiale fotosensibile. I cumpunenti fotosensibili in questu subiranu cambiamenti chimichi sottu à l'irradiazione di a luce, causandu cusì cambiamenti in a velocità di dissoluzione. A so funzione principale hè di trasfirià u mudellu nantu à a mascara à un sustrato cum'è una wafer.
Principiu di travagliu di photoresist: Prima, u photoresist hè rivestitu nantu à u sustrato è pre-coccu per sguassà u solvente;
Siconda, a mascara hè esposta à a luce, facennu chì i cumpunenti fotosensibili in a parte esposta sottumettenu una reazzione chimica;
Allora, un coccu post-esposizione hè realizatu;
Infine, u photoresist hè parzialmente dissolutu attraversu u sviluppu (per u photoresist pusitivu, l'area esposta hè dissoluta; per u photoresist negativu, l'area non esposta hè dissolta), per quessa, rializendu u trasferimentu di u mudellu di circuit integratu da a maschera à u sustrato.
I cumpunenti di photoresist includenu principalmente resina di filmazione, cumpunenti fotosensibili, additivi di traccia è solventi.
Frà elli, a resina film-forming hè aduprata per furnisce proprietà meccaniche è resistenza à l'incisione; u cumpunente fotosensibile subisce cambiamenti chimichi sottu a luce, chì causanu cambiamenti in a velocità di dissoluzione;
L'additivi di traccia includenu tinture, rinforzi di viscosità, etc., chì sò usati per migliurà u rendiment di photoresist; i solventi sò usati per dissolve i cumpunenti è mischjà uniformemente.
I fotoresisti attualmente in larga usu ponu esse divisi in fotoresisti tradiziunali è fotoresisti amplificati chimicamente secondu u mecanismu di reazione fotochimica, è ponu ancu esse divisi in ultraviolet, ultraviolet profondo, ultraviolet estremu, fasciu elettroni, fasciu ionicu è fotoresisti di raghji X secondu u lunghezza d'onda di fotosensibilità.
Quattru apparecchi di fotolitografia
A tecnulugia di fotolitografia hà attraversatu u prucessu di sviluppu di litografia di cuntattu / prossimità, litografia di proiezione ottica, litografia step-and-repeat, litografia di scanning, litografia d'immersione è litografia EUV.
4.1 Cuntattu / Prossimità Lithography Machine
A tecnulugia di litografia di cuntattu hè apparsa in l'anni 1960 è hè stata largamente usata in l'anni 1970. Era u metudu di litografia principale in l'era di i circuiti integrati di piccula scala è era principalmente utilizatu per pruduce circuiti integrati cù dimensioni di caratteristiche più grande di 5μm.
In una macchina di litografia di cuntattu / prossimità, l'ostia hè generalmente posta nantu à una pusizione horizontale cuntrullata manualmente è una tavola di travagliu rotante. L'operatore usa un microscopiu di campu discretu per osservà simultaneamente a pusizione di a maschera è di l'ostia, è cuntrola manualmente a pusizione di a tavola di travagliu per allineà a maschera è l'ostia. Dopu chì l'ostia è a maschera sò allinati, i dui seranu pressati inseme in modu chì a maschera hè in cuntattu direttu cù u photoresist nantu à a superficia di l'ostia.
Dopu avè sguassatu l'ughjettu di u microscopiu, u wafer pressatu è a maschera sò spustati à a tavola di esposizione per l'esposizione. A lumera emessa da a lampada di mercuriu hè collimata è parallella à a maschera à traversu una lente. Siccomu a maschera hè in cuntattu direttu cù a capa di fotoresist nantu à l'ostia, u mudellu di maschera hè trasferitu à a capa di fotoresist in una proporzione di 1: 1 dopu l'esposizione.
L'equipaggiu di litografia di cuntattu hè l'equipaggiu di litografia otticu più simplice è ecunomica, è pò ottene l'esposizione di gràfiche di dimensioni sub-microni, per quessa, hè sempre utilizatu in a fabricazione di prudutti di picculi lotti è in a ricerca di laboratori. In a pruduzzioni di circuiti integrati à grande scala, a tecnulugia di litografia di prossimità hè stata introdutta per evità l'aumentu di i costi di litografia causatu da u cuntattu direttu trà a maschera è l'ostia.
A litografia di prossimità hè stata largamente usata in l'anni 1970 durante l'era di i circuiti integrati di piccula scala è l'era iniziale di i circuiti integrati di media scala. A cuntrariu di a litografia di cuntattu, a mascara in litografia di proximità ùn hè micca in cuntattu direttu cù u photoresist nantu à l'ostia, ma un spaziu pienu di nitrogenu hè lasciatu. A mascara flota nantu à u nitrogenu, è a dimensione di u spaziu trà a mascara è l'ostia hè determinata da a pressione di nitrogenu.
Siccomu ùn ci hè micca un cuntattu direttu trà l'ostia è a maschera in a litografia di prossimità, i difetti introdotti durante u prucessu di litografia sò ridotti, riducendu cusì a perdita di a maschera è migliurà u rendiment di l'ostia. In a litografia di prossimità, a distanza trà a wafer è a maschera mette a wafer in a regione di diffrazione di Fresnel. A prisenza di diffrazione limita l'ulteriore migliuramentu di a risuluzione di l'equipaggiu di litografia di prossimità, cusì sta tecnulugia hè principarmenti adattata per a produzzione di circuiti integrati cù dimensioni di caratteristiche sopra 3μm.
4.2 Stepper è Repeater
U stepper hè unu di l'equipaggiu più impurtante in a storia di a litografia di wafer, chì hà prumuvutu u prucessu di litografia sub-micron in a pruduzzioni di massa. U stepper usa un tipicu campu di esposizione statica di 22 mm × 22 mm è una lente di proiezione ottica cun un rapportu di riduzzione di 5: 1 o 4: 1 per trasfiriri u mudellu nantu à a maschera à l'ostia.
A macchina di litografia step-and-repeat hè generalmente cumposta da un sottosistema di esposizione, un sottosistema di scena di pezza, un sottosistema di stage di maschera, un sottosistema di focus / leveling, un sottosistema di allineamentu, un sottosistema di frame principale, un sottosistema di trasferimentu di wafer, un sottosistema di trasferimentu di maschera. , un sottosistema elettronicu, è un sottosistema di software.
U prucessu tipicu di travagliu di una macchina di litografia step-and-repeat hè u seguitu:
Prima, u wafer rivestitu cù photoresist hè trasferitu à a tavula di u travagliu cù u subsistema di trasferimentu di wafer, è a maschera per esse esposta hè trasferita à a tavola di maschera cù u sottu sistema di trasferimentu di maschera;
Allora, u sistema utilizeghja u subsistema di focus / leveling per realizà a misurazione di l'altitudine multi-puntu nantu à l'ostia nantu à u palcuscenicu di u travagliu per ottene informazioni cum'è l'altezza è l'angolo di inclinazione di a superficia di l'ostia per esse esposta, in modu chì l'area di esposizione di l'ostia pò sempre esse cuntrullata in a prufundità focale di l'ughjettu di proiezione durante u prucessu di esposizione;In seguitu, u sistema usa u sottusistema di allineamentu per allineà a maschera è l'ostia in modu chì durante u prucessu di esposizione a precisione di a pusizione di l'imaghjini di a maschera è u trasferimentu di u mudellu di wafer hè sempre in i requisiti di sovrapposizione.
Infine, l'azzione step-and-esposizione di tutta a superficia di wafer hè cumpletata secondu u percorsu prescrittu per rializà a funzione di trasferimentu di mudellu.
A macchina di litografia stepper è scanner successiva hè basatu annantu à u prucessu di travagliu di basa sopra, migliurendu stepping → esposizione à scanning → esposizione, è focusing / leveling → alignment → esposizione nantu à u mudellu à doppia tappa à a misurazione (focusing / leveling → alignment) è scanning. esposizione in parallelu.
In cunfrontu cù a macchina di litografia step-and-scan, a macchina di litografia step-and-repeat ùn hà micca bisognu di ottene una scansione inversa sincrona di a maschera è l'ostia, è ùn hà micca bisognu di una tavola di maschere di scansione è un sistema di cuntrollu di scansione sincrona. Dunque, a struttura hè relativamente simplice, u costu hè relativamente bassu, è l'operazione hè affidabile.
Dopu à a tecnulugia IC intrutu in 0.25μm, l'applicazione di a litografia step-and-repeat hà cuminciatu à calà per via di i vantaghji di a litografia step-and-scan in scanning size field esposizione è uniformità di esposizione. Attualmente, l'ultima litografia step-and-repeat furnita da Nikon hà un campu di vista di esposizione statica grande quant'è quella di a litografia step-and-scan, è pò processà più di 200 wafers per ora, cù una efficienza di produzzione estremamente alta. Stu tipu di macchina di litografia hè attualmente utilizata principalmente per a fabricazione di strati IC micca critichi.
4.3 Scanner Stepper
L'applicazione di a litografia step-and-scan principia in l'anni 1990. Cunfigurà diverse fonti di luce di esposizione, a tecnulugia step-and-scan pò sustene diversi nodi di tecnulugia di prucessu, da immersione 365nm, 248nm, 193nm à litografia EUV. A cuntrariu di a litografia step-and-repeat, l'esposizione in unicu campu di a litografia step-and-scan adopta una scansione dinamica, vale à dì, a piastra di maschera cumpleta u muvimentu di scanning in modu sincronu in relazione à l'ostia; dopu chì l'esposizione di u campu attuale hè cumpleta, l'ostia hè purtata da a tappa di u travagliu è si passa à a prossima pusizione di u campu di scanning, è l'esposizione ripetuta cuntinueghja; ripetite l'esposizione step-and-scan parechje volte finu à chì tutti i campi di tutta l'ostia sò esposti.
Per cunfigurà diversi tipi di fonti di luce (cum'è i-line, KrF, ArF), u stepper-scanner pò sustene quasi tutti i nodi tecnulugia di u prucessu di front-end semiconductor. I prucessi tipici di CMOS basati in siliciu anu aduttatu stepper-scanners in grande quantità da u node 0.18μm; e macchine di litografia ultravioletta estrema (EUV) attualmente usate in i nodi di prucessu sottu à 7nm utilizanu ancu stepper-scanning. Dopu a mudificazione adattativa parziale, u stepper-scanner pò ancu sustene a ricerca è u sviluppu è a produzzione di parechji prucessi non basati in silicone, cum'è MEMS, dispositivi di putenza, è dispusitivi RF.
I principali produttori di macchine di litografia di proiezione step-and-scan include ASML (Paesi Bassi), Nikon (Giappone), Canon (Giappone) è SMEE (Cina). ASML hà lanciatu a serie TWINSCAN di machini di litografia step-and-scan in u 2001. Adopta una architettura di sistema dual-stage, chì pò migliurà efficacemente a rata di pruduzzioni di l'equipaggiu è hè diventata a macchina lithography high-end più largamente usata.
4.4 Litografia d'immersione
Pò esse vistu da a formula di Rayleigh chì, quandu a lunghezza d'onda di l'esposizione resta invariata, un modu efficau per migliurà ancu a risoluzione di l'imaghjini hè di aumentà l'apertura numerica di u sistema di imaging. Per risoluzioni d'imaghjini sottu à 45nm è più altu, u metudu di esposizione secca ArF ùn pò più risponde à i requisiti (perchè sustene una risoluzione massima di imaghjini di 65nm), per quessa, hè necessariu di introduci un metudu di litografia d'immersione. In a tecnulugia di litografia tradiziunale, u mediu trà a lente è u photoresist hè l'aria, mentre chì a tecnulugia di litografia d'immersione rimpiazza u mediu di l'aria cù u liquidu (di solitu acqua ultrapura cù un indice refrattivu di 1,44).
In fattu, a tecnulugia di litografia di immersione usa l'accortamentu di a lunghezza d'onda di a fonte di luce dopu chì a luce passa per u mediu liquidu per migliurà a risuluzione, è u rapportu di accortamentu hè l'indice di rifrazione di u mediu liquidu. Ancu s'è a macchina di litografia à immersione hè un tipu di macchina di litografia step-and-scan, è a so suluzione di u sistema di l'equipaggiu ùn hè micca cambiatu, hè una mudificazione è espansione di a macchina di litografia ArF step-and-scan per via di l'intruduzioni di tecnulugia chjave in relazione. à l'immersione.
U vantaghju di a litografia d'immersione hè chì, per via di l'aumentu di l'apertura numerica di u sistema, a capacità di risoluzione di l'imaghjini di a macchina di litografia stepper-scanner hè migliurata, chì ponu risponde à i bisogni di u prucessu di risoluzione d'imaghjini sottu 45nm.
Siccomu a macchina di litografia d'immersione usa sempre a fonte di luce ArF, a continuità di u prucessu hè garantita, salvendu u costu di R & D di a fonte di luce, l'equipaggiu è u prucessu. Nantu à sta basa, cumminata cù parechje gràfiche è tecnulugia di litografia computazionale, a macchina di litografia di immersione pò esse usata à i nodi di prucessu di 22nm è sottu. Prima chì a macchina di litografia EUV hè stata ufficialmente messa in produzzione di massa, a macchina di litografia d'immersione hè stata largamente usata è puderia risponde à i bisogni di u prucessu di u nodu 7nm. Tuttavia, per via di l'intruduzioni di liquidu d'immersione, a difficultà di l'ingegneria di l'equipaggiu stessu hà aumentatu significativamente.
I so tecnulugii chjave includenu immersione liquid supply and recovery technology, immersion liquid field maintenance technology, immersion lithography pollution and defect control technology, u sviluppu è u mantenimentu di lenti di prughjezzione di immersione di apertura numerica ultra-grande, è tecnulugia di rilevazione di qualità d'imaghjini in cundizioni d'immersione.
Attualmente, e macchine di litografia ArFi cumerciu step-and-scan sò principalmente furnite da duie cumpagnie, à dì ASML di l'Olanda è Nikon di u Giappone. À mezu à elli, u prezzu di una sola ASML NXT1980 Di hè circa 80 millioni d'euros.
4.4 Extreme Ultraviolet Lithography Machine
Per migliurà a risuluzione di a fotolitografia, a lunghezza d'onda di l'esposizione hè più accurtata dopu l'adozione di a fonte di luce excimer, è a luce ultravioletta estrema cù una lunghezza d'onda di 10 à 14 nm hè introdutta cum'è fonte di luce di esposizione. A lunghezza d'onda di a luce ultravioletta estrema hè estremamente corta, è u sistema otticu riflettente chì pò esse usatu hè generalmente cumpostu di riflettori di film multilayer cum'è Mo / Si o Mo / Be.
Trà elli, a riflettività massima teorica di film multilayer Mo / Si in a gamma di lunghezza d'onda da 13,0 à 13,5 nm hè di circa 70%, è a riflettività massima teorica di film multilayer Mo / Be à una lunghezza d'onda più corta di 11,1 nm hè di circa 80%. Ancu s'è a riflettività di i riflettori di film multilayer Mo / Be hè più altu, Be hè assai tossicu, cusì a ricerca nantu à tali materiali hè stata abbandunata quandu u sviluppu di a tecnulugia di litografia EUV.L'attuale tecnulugia di litografia EUV usa film multilayer Mo / Si, è a so lunghezza d'onda di esposizione hè ancu determinata à esse 13.5nm.
A fonte di luce ultravioletta estrema mainstream usa a tecnulugia di plasma prodotta da laser (LPP), chì usa laser d'alta intensità per eccite u plasma Sn hot-melt per emette luce. Per un bellu pezzu, u putere è a dispunibilità di a surgente luminosa sò stati i buttiglii chì limitanu l'efficienza di e macchine di litografia EUV. Attraversu l'amplificatore di putenza oscillatore maestru, a tecnulugia di plasma predittiva (PP) è a tecnulugia di purificazione di specchi di cullizzioni in situ, a putenza è a stabilità di e fonti di luce EUV sò state assai migliurate.
A macchina di litografia EUV hè principalmente cumpostu di sottosistemi cum'è fonte di luce, illuminazione, lente obiettivu, stage di pezza di travagliu, stage di maschera, allineamentu di wafer, focusing / leveling, trasmissione di maschera, trasmissione di wafer è quadru di vacuum. Dopu avè passatu per u sistema di illuminazione cumpostu di riflettori rivestiti multi-layer, a luce ultravioletta estrema hè irradiata nantu à a maschera riflettente. A luce riflessa da a maschera entra in u sistema d'imaghjini di riflessione totale otticu cumpostu da una serie di riflettori, è infine l'imaghjini riflesse di a maschera hè prughjettata nantu à a superficia di l'ostia in un ambiente di vacuum.
U campu di vista di l'esposizione è u campu di vista di l'imaghjini di a macchina di litografia EUV sò tramindui in forma d'arcu, è un metudu di scanning step-by-step hè adupratu per ottene una esposizione completa di wafer per migliurà a velocità di output. A macchina di litografia EUV di a serie NXE più avanzata di ASML utilizza una fonte di luce di esposizione cù una lunghezza d'onda di 13,5 nm, una maschera riflettente (incidenza obliqua di 6 °), un sistema d'obiettivu di proiezione riflettente di riduzzione 4x cù una struttura di 6 specchi (NA = 0,33), un scanning field of view of 26mm × 33mm, è un ambiente di esposizione à u vacuum.
In cunfrontu cù e macchine di litografia à immersione, a risoluzione di l'esposizione unica di e macchine di litografia EUV chì utilizanu fonti di luce ultravioletta estrema hè stata assai migliurata, chì pò evità efficacemente u prucessu cumplessu necessariu per a fotolitografia multipla per furmà gràfiche d'alta risoluzione. Attualmente, a risuluzione unica di l'esposizione di a macchina di litografia NXE 3400B cù una apertura numerica di 0,33 righjunghji 13nm, è a velocità di output righjunghji 125 pezzi / h.
Per risponde à i bisogni di più allargamentu di a Legge di Moore, in u futuru, e macchine di litografia EUV cù una apertura numerica di 0,5 adutrà un sistema d'ughjettu di prughjezzione cù un bloccu di luce centrale, utilizendu un ingrandimentu asimmetricu di 0,25 volte / 0,125 volte, è u U campu di vista di l'esposizione di scansione serà ridutta da 26m × 33mm à 26mm × 16.5mm, è a risoluzione di l'esposizione unica pò ghjunghje sottu à 8nm.
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