PART/1
Metudu CVD (Deposizione Chemical Vapore):
À 900-2300 ℃, usendu TaCl5è CnHm cum'è tantalu è fonti di carbone, H₂ cum'è atmosfera riducente, Ar₂as gas carrier, film di deposizione di reazione. U revestimentu preparatu hè compactu, uniforme è di alta purezza. Tuttavia, ci sò qualchi prublemi cum'è prucessu cumplicatu, costu caru, cuntrollu difficiuli di flussu d'aria è bassa efficienza di depositu.
PART/2
Metodu di sinterizzazione di slurry:
U slurry chì cuntene a fonte di carbone, a fonte di tantalu, u dispersante è u legante hè rivestitu nantu à u grafitu è sinterizatu à alta temperatura dopu à l'asciugatura. U revestimentu preparatu cresce senza l'orientazione regulare, hà un prezzu bassu è hè adattatu per a produzzione à grande scala. Resta à esse esploratu per ottene un revestimentu uniforme è cumpletu nantu à grafite grande, eliminà i difetti di supportu è rinfurzà a forza di ligame di u revestimentu.
PART/3
Metudu di spraying plasma:
La poudre de TaC est fondue par l'arc de plasma à haute température, atomisée en gouttelettes à haute température par un jet à grande vitesse, et pulvérisée sur la surface du graphite. Hè facilitu per furmà una capa d'ossidu sottu senza vacuum, è u cunsumu d'energia hè grande.
Figura . Vassoio di wafer dopu l'usu in un dispositivu MOCVD GaN cultivatu epitaxial (Veeco P75). Quellu di a manca hè cupertu di TaC è quellu di a diritta hè rivestitu di SiC.
TaC rivestituparte di grafite deve esse risolta
PART/1
Forza di ligame:
U coefficient di espansione termale è altre proprietà fisiche trà TaC è materiali di carbone sò diffirenti, a forza di ligame di u revestimentu hè bassu, hè difficiule di evità crepe, pori è stress termicu, è u revestimentu hè faciule da sbuchjarà in l'atmosfera attuale chì cuntene rot è putenza. prucessu ripetutu di crescita è di rinfrescante.
PART/2
Purità:
Rivestimentu TaCci vole à esse ultra-alta purezza per evitari impurità è a contaminazione in cundizioni d'alta temperatura, è i standard di cuntenutu efficaci è i normi di carattarizazione di u carbonu liberu è impurità intrinseche nantu à a superficia è à l'internu di u revestimentu pienu anu da esse d'accordu.
PART/3
Stabilità:
A resistenza à l'alta temperatura è a resistenza à l'atmosfera chimica sopra 2300 ℃ sò l'indicatori più impurtanti per pruvà a stabilità di u revestimentu. Pinholes, crack, missing corners, and single orienting grana frontieres sò faciuli di pruvucà gasi corrosivi per penetrà è penetrà in u grafite, risultatu in fallimentu di prutezzione di u revestimentu.
PART/4
Resistenza à l'ossidazione:
TaC cumencia à ossidarà à Ta2O5 quandu hè sopra à 500 ℃, è a rata d'ossidazione aumenta bruscamente cù l'aumentu di a temperatura è a cuncentrazione di l'ossigenu. L'ossidazione di a superficia principia da e fruntiere di granu è di grani chjuchi, è gradualmente formanu cristalli colonnari è cristalli rotti, risultatu in un gran numaru di spazii è buchi, è l'infiltrazione di l'ossigenu s'intensifica finu à chì u revestimentu hè spogliatu. A capa d'ossidu risultante hà una conductività termale povira è una varietà di culori in l'apparenza.
PART/5
Uniformità è rugosità:
A distribuzione irregulare di a superficia di u revestimentu pò purtà à a cuncentrazione di stress termicu lucale, aumentendu u risicu di cracking è spalling. Inoltre, a rugosità di a superficia affetta direttamente l'interazzione trà u revestimentu è l'ambiente esternu, è una rugosità troppu alta porta facilmente à un attritu aumentatu cù u wafer è u campu termale irregolare.
PART/6
Dimensione di granu:
A grandezza uniforme di granu aiuta a stabilità di u revestimentu. Se u granu di granu hè chjuca, u ligame ùn hè micca strettu, è hè faciule d'esse oxidatu è corroded, risultatu in un gran numaru di cracke è buchi in u bordu di granu, chì reduce u rendiment protettivu di u revestimentu. Se a dimensione di granu hè troppu grande, hè relativamente ruvida, è u revestimentu hè faciule da sfalà sottu à stress termicu.
Tempu di Postu: Mar-05-2024