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  • Prucessu di Preparazione di Cristalli di Sementi in SiC Single Crystal Growth (Part 2)

    Prucessu di Preparazione di Cristalli di Sementi in SiC Single Crystal Growth (Part 2)

    2. Prucessu Sperimentale 2.1 Curing of Film Adhesive Hè statu osservatu chì a creazione diretta di una film di carbonu o un ligame cù carta di grafite nantu à wafers SiC rivestiti cù adesivu hà purtatu à parechje prublemi: 1. In cundizioni di vacuum, a film adhesive nantu à wafers SiC hà sviluppatu un aspettu scalelike due. à firmà...
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  • Seed Crystal Preparation Process in SiC Single Crystal Growth

    Seed Crystal Preparation Process in SiC Single Crystal Growth

    U materiale di carburu di siliciu (SiC) hà i vantaghji di una banda larga, alta conduttività termale, alta forza di campu di rupture criticu, è alta velocità di deriva di l'elettroni saturati, facendu assai promettenti in u campu di fabricazione di semiconduttori. I cristalli unichi di SiC sò generalmente pruduciuti attraversu ...
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  • Chì sò i metudi di lucidatura di wafer?

    Chì sò i metudi di lucidatura di wafer?

    Di tutti i prucessi implicati in a creazione di un chip, u destinu finale di l'ostia hè di esse tagliata in fustelle individuali è imballate in scatuli chjuchi è chjusi cù solu uni pochi di pins esposti. U chip serà evaluatu basatu annantu à i so valori di soglia, resistenza, currente è tensione, ma nimu hà da cunsiderà ...
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  • L'Intruduzione Basa di u Prucessu di Crescita Epitaxial SiC

    L'Intruduzione Basa di u Prucessu di Crescita Epitaxial SiC

    U stratu epitaxial hè un film di cristallu unicu specificu cultivatu nantu à l'ostia per prucessu ep·itaxial, è l'ostia di sustrato è a film epitaxial sò chjamati wafer epitaxial. Crescendu a strata epitaxiale di carburu di siliciu nantu à u sustratu conduttivu di carburu di siliciu, u carburu di siliciu epitaxiale omogeneu ...
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  • Punti chjave di u cuntrollu di qualità di u prucessu di imballaggio di semiconduttori

    Punti chjave di u cuntrollu di qualità di u prucessu di imballaggio di semiconduttori

    Punti Chjave per u Controlu di Qualità in u Prucessu di Imballaggio di SemiconductorAttualmente, a tecnulugia di prucessu per l'imballu di semiconductor hà migliuratu è ottimisatu significativamente. Tuttavia, da una perspettiva generale, i prucessi è i metudi per l'imballaggio di semiconduttori ùn anu ancu ghjuntu u più perfettu ...
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  • Sfide in u prucessu di imballaggio semiconductor

    Sfide in u prucessu di imballaggio semiconductor

    I tecnichi attuali per l'imballaggio di semiconduttori sò gradualmente migliurà, ma a misura in quale l'equipaggiu è e tecnulugia automatizati sò aduttati in l'imballaggio di semiconduttori determina direttamente a realizazione di i risultati previsti. I prucessi di imballaggio di semiconduttori esistenti soffrenu sempre di ...
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  • Ricerca è Analisi di Prucessu di Packaging Semiconductor

    Ricerca è Analisi di Prucessu di Packaging Semiconductor

    Panoramica di u prucessu di semiconductorU prucessu di semiconductor implica principalmente l'applicazione di tecnulugia di microfabricazione è film per cunnetta cumplettamente chips è altri elementi in diverse regioni, cum'è sustrati è frames. Questu facilita l'estrazione di terminali di piombo è l'incapsulazione cù un ...
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  • Novi Trends in l'Industria Semiconductor: L'Applicazione di a Tecnulugia di Rivestimentu Protettivu

    Novi Trends in l'Industria Semiconductor: L'Applicazione di a Tecnulugia di Rivestimentu Protettivu

    L'industria di i semiconduttori assiste à una crescita senza precedente, in particulare in u regnu di l'elettronica di putenza di carburu di siliciu (SiC). Cù parechji fabbri di wafer à grande scala in custruzzione o espansione per risponde à a crescente dumanda di dispositivi SiC in veiculi elettrici, questu ...
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  • Chì sò i passi principali in a trasfurmazioni di sustrati SiC?

    Chì sò i passi principali in a trasfurmazioni di sustrati SiC?

    Cumu pruduciamu i passi di trasfurmazioni per i sustrati SiC sò i seguenti: 1. Orientazione di Cristalli: Utilizendu a diffrazione di raghji X per orientà u lingotti di cristalli. Quandu un fasciu di raghji X hè direttu à a faccia di cristallu desiderata, l'angolo di u fasciu diffrattu determina l'orientazione di u cristallu ...
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  • Un materiale impurtante chì determina a qualità di a crescita di siliciu di cristallu unicu - campu termale

    Un materiale impurtante chì determina a qualità di a crescita di siliciu di cristallu unicu - campu termale

    U prucessu di crescita di u siliciu unicu cristallu hè cumpletamente realizatu in u campu termale. Un bonu campu termale conduce à migliurà a qualità di cristalli è hà una alta efficienza di cristallizazione. U disignu di u campu termale determina largamente i cambiamenti è i cambiamenti ...
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  • Cosa hè a crescita epitaxial?

    Cosa hè a crescita epitaxial?

    A crescita epitaxial hè una tecnulugia chì cresce una sola capa di cristallu nantu à un sustrato di cristallu unicu (sustratu) cù a listessa orientazione di cristalli cum'è u sustrato, cum'è s'ellu u cristallu originale s'hè allargatu fora. Questa strata di cristallu unicu di novu cultivatu pò esse sfarente da u sustrato in termini di c ...
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  • Chì ghjè a diffarenza trà u sustrato è l'epitassia?

    Chì ghjè a diffarenza trà u sustrato è l'epitassia?

    In u prucessu di preparazione di wafer, ci sò dui ligami core: unu hè a preparazione di u sustrato, è l'altru hè l'implementazione di u prucessu epitaxial. U sustrato, un wafer accuratamente crafted da materiale semiconductor unicu cristallu, pò esse direttamente messi in a fabricazione di wafer ...
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