Metudu per preparà u revestimentu di carburu di silicium

Attualmente, i metudi di preparazione diRivestimentu SiCinclude principalmente u metudu di gel-sol, u metudu di incrussione, u metudu di rivestimentu di spazzola, u metudu di spruzzamentu di plasma, u metudu di reazzione di gas chimicu (CVR) è u metudu di deposizione di vapore chimicu (CVD).

Metodu d'incrustazione:

U metudu hè un tipu di sinterizazione in fase solida à alta temperatura, chì usa principalmente a mistura di polvere di Si è di polvere C cum'è u polu d'incrustazione, a matrice di grafite hè piazzata in a polvera d'incrustazione, è a sinterizzazione di alta temperatura hè realizata in u gasu inerte. , è infine uRivestimentu SiChè ottinutu nantu à a superficia di a matrice di grafite. U prucessu hè simplice è a cumminazione trà u revestimentu è u sustrato hè bona, ma l'uniformità di u revestimentu longu a direzzione di u gruixu hè povira, chì hè faciule per pruduce più buchi è portanu à una povira resistenza à l'ossidazione.

 

Metudu di rivestimentu di spazzola:

U metudu di spazzola di rivestimentu hè principalmente di spazzola a materia prima liquida nantu à a superficia di a matrice di grafite, è poi curà a materia prima à una certa temperatura per preparà u revestimentu. U prucessu hè simplice è u costu hè bassu, ma u revestimentu preparatu da u metudu di spazzola hè debule in cumminazione cù u sustrato, l'uniformità di u revestimentu hè povera, u revestimentu hè magre è a resistenza à l'ossidazione hè bassa, è altri metudi sò necessarii per aiutà. lu.

 

Metudu di spraying plasma:

U metudu di spraying plasma hè principarmenti di spruverà materie prime fuse o semi-fuse nantu à a superficia di a matrice di grafite cù una pistola di plasma, è dopu solidificà è ligà per furmà un revestimentu. U metudu hè simplice per uperà è pò preparà un revestimentu di carburu di siliciu relativamente densu, ma u revestimentu di carburu di siliciu preparatu da u metudu hè spessu troppu debule è porta à una debule resistenza à l'ossidazione, cusì hè generalmente utilizatu per a preparazione di revestimentu compositu SiC per migliurà. a qualità di u revestimentu.

 

Metudu gel-sol:

U metudu gel-sol hè principarmenti di preparà una solu suluzione uniforme è trasparente chì copre a superficia di a matrice, sicca in un gel è poi sinterizza per ottene un revestimentu. Stu metudu hè simplice per uperà è pocu costu, ma u revestimentu pruduciutu hà qualchì mancanza, cum'è una bassa resistenza di scossa termica è un cracking faciule, per quessa ùn pò micca esse largamente utilizatu.

 

Reazione di gasu chimicu (CVR):

CVR genera principalmenteRivestimentu SiCaduprendu Si è SiO2 in polvere per generà vapore SiO à alta temperatura, è una seria di reazzioni chimichi accadenu nantu à a superficia di u sustrato di materiale C. URivestimentu SiCpreparatu da stu metudu hè strettamente ligatu à u sustrato, ma a temperatura di reazzione hè più altu è u costu hè più altu.

 

Deposizione chimica in vapore (CVD):

Attualmente, CVD hè a tecnulugia principale per a preparazioneRivestimentu SiCnantu à a superficia di u sustrato. U prucessu principale hè una seria di reazzioni fisiche è chimiche di materiale reactante in fase di gas nantu à a superficia di u sustrato, è infine u revestimentu di SiC hè preparatu da a deposizione nantu à a superficia di u sustrato. U revestimentu SiC preparatu da a tecnulugia CVD hè strettamente ligatu à a superficia di u sustrato, chì pò migliurà efficacemente a resistenza à l'ossidazione è a resistenza ablativa di u materiale di sustrato, ma u tempu di depositu di stu metudu hè più longu, è u gasu di reazione hà un certu tossicu. gasu.