Bracciu ceramicu per l'equipaggiu semiconductor di carburu di siliciu

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Descrizione breve:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. hè un fornitore di punta specializatu in wafer è consumabili avanzati di semiconductor.Semu dedicati à furnisce prudutti d'alta qualità, affidabili è innovatori à a fabricazione di semiconduttori,industria fotovoltaicaè altri campi cunnessi.

A nostra linea di prudutti include prudutti di grafite rivestiti di SiC / TaC è prudutti di ceramica, chì includenu diversi materiali cum'è carburu di siliciu, nitruru di siliciu, ossidu d'aluminiu è etc.

Cum'è un fornitore di fiducia, capiscenu l'impurtanza di i consumabili in u prucessu di fabricazione, è simu impegnati à furnisce prudutti chì rispondenu à i più alti standard di qualità per risponde à i bisogni di i nostri clienti.

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U carburu di siliciu hè un novu tipu di ceramica cù un altu rendimentu di costu è eccellenti proprietà di materiale.A causa di e caratteristiche cum'è alta forza è durezza, resistenza à alta temperatura, grande conduttività termica è resistenza à a corrosione chimica, Carbide di Siliciu pò quasi resiste à tutti i medii chimichi.Per quessa, SiC sò largamente usati in a minera di petroliu, chimica, machina è spaziu aereo, ancu l'energia nucleare è l'armata anu e so dumande speciale nantu à SIC.Alcune applicazioni normali chì pudemu offre sò anelli di sigillatura per pompa, valve è armatura protettiva, etc.

Pudemu cuncepisce è fabricà secondu e vostre dimensioni specifiche cù una bona qualità è un tempu di consegna raghjone.

Caratteristiche è vantaghji

1.Dimensioni precise è stabilità termale

2.High rigidità specifica è uniformità termale eccellenti, usu à longu andà ùn hè micca faciule per curvarle deformazione;

3.Hè una superficia liscia è una bona resistenza à l'usura, cusì manighjà in modu sicuru u chip senza contaminazione di particella.

4.Silicon carbide resistivity in 106-108Ω, non-magneticu, in ligna cù esigenze specificazioni anti-ESD;Pò impedisce l'accumulazione di l'electricità statica nantu à a superficia di u chip

5.Good conductivity termale, bassu coefficient espansione.